[发明专利]基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310320939.1 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN103412446B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 王春雷;车春城;谢建云;王磊 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1341 | 分类号: | G02F1/1341;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种基板,所述基板包括显示区域和封框胶区域,其特征在于,所述基板还包括:
位于所述显示区域和所述封框胶区域之间的缓冲结构,所述缓冲结构用于降低所述显示区域的液晶向所述封框胶区域扩散的速度。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,
所述缓冲结构包括沿着远离所述显示区域的方向逐渐升高的斜面。
3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,
所述缓冲结构还包括靠近所述封框胶区域的平面,所述平面高于所述显示区域的表面,所述斜面位于所述平面和所述显示区域之间,且所述斜面与所述平面连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基板,其特征在于,
所述缓冲结构与所述显示区域的靠近所述缓冲结构的边缘之间的间距为100~200μm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的基板,其特征在于,
所述封框胶区域位于所述缓冲结构远离所述显示区域的一侧,所述缓冲结构靠近所述封框胶区域的一侧与所述封框胶区域之间的间距为100~200μm。
6.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,
所述封框胶区域位于所述缓冲结构的平面之上,所述封框胶区域与所述缓冲结构的斜面之间的间距为100~200μm。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的基板。
8.一种基板的制作方法,所述基板包括显示区域和封框胶区域,其特征在于,包括:
在所述基板上形成包括缓冲结构的图形,所述缓冲结构位于所述显示区域和所述封框胶区域之间,以降低所述显示区域的液晶向所述封框胶区域扩散的速度。
9.根据权利要求8所述的基板的制作方法,其特征在于,所述在基板上形成包括缓冲结构的图形具体包括:
在所述基板上形成一层光刻胶层;
通过构图工艺在所述基板上形成包括缓冲结构和隔垫物的图形。
10.根据权利要求9所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述缓冲结构包括沿着远离所述显示区域的方向逐渐升高的斜面,以及靠近所述封框胶区域的平面,所述平面高于所述显示区域的表面,所述斜面位于所述平面和所述显示区域之间,所述斜面与所述平面连接;所述通过构图工艺在基板上形成包括缓冲结构和隔垫物的图形具体包括:通过多灰阶掩膜板对所述光刻胶层进行曝光,以在所述显示区域形成光刻胶完全不保留区,所述缓冲结构的平面区域形成光刻胶部分保留区,所述隔垫物的区域形成光刻胶完全保留区,所述缓冲结构的斜面区域形成沿远离所述显示区域方向逐渐升高的光刻胶递增保留区。
11.根据权利要求10所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述光刻胶为负性光刻胶,所述多灰阶掩膜板包括完全透过区、完全不透过区、部分透过区和递增透过区,所述完全透过区对应所述光刻胶完全保留区,所述完全不透过区对应所述光刻胶完全不保留区,所述部分透过区对应所述光刻胶部分保留区,所述递增透过区对应所述光刻胶递增保留区,且所述递增透过区的透过率随保留的光刻胶高度递增而递增。
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