[发明专利]一种储藏稳定单组份室温固化有机硅组合物有效
申请号: | 201310320614.3 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN103342979A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 刘川;孙应发;苏丹;郑妙生 | 申请(专利权)人: | 北京天山新材料技术股份有限公司 |
主分类号: | C09J183/06 | 分类号: | C09J183/06;C09J11/06;C09J11/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100041 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 储藏 稳定 单组份 室温 固化 有机硅 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种密封胶,更具体涉及一种储藏稳定的具有单组份的室温固化有机硅密封胶。
背景技术
室温固化的硅酮密封胶因其优异的耐候性能被广泛使用在诸多领域,比如建筑密封粘结、电子材料灌封、以及汽车机械垫圈和太阳能电池板组件的封装等;单组分硅酮密封胶的固化是由表及里的,固化的快慢不仅取决于交联剂的反应速度,更依赖于空气中水份渗透的速度。依据所使用交联剂经水解缩合脱除之脱除物的种类与性质不同,其有机硅密封胶体系又可分为中性胶,酸性胶等,其中中性胶中的脱肟型单组份室温固化体系由于其在施工性能,固化性能,粘接性能,力学性能等方面优异的表现,而被应用于各种行业中;而对于单组份脱肟型室温固化硅胶来说,产品使用前,包括生产中,以及运输,储存过程中,整体稳定性是至关重要的;
在脱肟型单组份室温固化硅酮胶中,含有多种组分,不可避免的将水分带入到体系中,而且在储存过程中也会有水分的渗入。水分的存在将使得整个体系的稳定性大打折扣,其会引发活性基团的水解,进而导致分子链缩合交联,体系粘度上升。因而往往需要在体系中加入大量的吸水剂;
另外,通常情况下,有机锡化合物作为缩合催化剂被用于室温固化硅酮胶中;但是这些锡化合物同时也会催化不希望发生的副反应,造成有机硅聚合分子链在醇的作用下的断裂,最终可形成以烷氧基取代的低活性聚有机硅氧烷链段,降低甚至失去反应活性,丧失交联能力,影响固化;
对于增加单组分硅酮密封胶体系储藏稳定性的已知方法包括:
在单组份室温固化体系中添加过量的交联剂或吸水剂;但过多吸水剂的使用会导致体系固化的缓慢,交联形式的改变,从成本上也是不利的;
美国专利US4417042描述了一种用于单组份脱醇型室温固化有机硅体系的清除剂,该清除剂是具有硅氮键的化合物,例如六甲基二硅氮烷;由于其相对高的反应活性,该硅氮化合物会与水或醇反应,从而达到使得体系稳定的作用;但该种硅氮化合物不仅成本高,而且会损害体系固化与粘接性能;
在另一种尝试中,美国专利US5286892描述了一种将具有2-烷氧基硅化丙酸酯结构的化合物作为羟基清除剂用于脱醇型室温固化硅酮体系中,该化合物可与醇羟基反应而达到消除醇的目的,从而提高整体体系的储藏性能以及老化性能;但是并没有从根本上降低或消除烷氧基的存在,另外还会引入其他有机小分子作为副产物产生;
另外,在体系中减少或替代有机锡催化剂的使用也被尝试,例如在美国专利US3334067中,钛或铝的螯合物被作为固化反应的催化剂使用,但其催化效力下降的同时,还会引起黄变的问题。而其他的有机钛酸酯类催化剂,例如专利EP747443中描述的,会造成含有以羟基封端聚硅氧烷为主体的有机硅体系粘度的不稳定,而且由于其对有机胺的敏感性,一般的以胺基有机硅烷为主的附着力添加剂是被限制与其一起使用的;而降低有机锡催化剂的用量又会影响体系固化的效果;
这就要求有一种脱肟型单组份室温固化有机硅体系,能够具有相同固化性能的同时,具有更高的储藏以及老化稳定性,包括组合物在生产以及运输储藏过程中体系物理性能,包括粘度,外观等性能的稳定性,同时也包括其在储藏老化过程中的固化性能的稳定性,包括其表干,结皮,交联,固化等性能的稳定性。
发明内容
本发明的目的是提出一种储藏稳定的单组份室温固化有机硅组合,利用该种组合物可在不改变其固化性能的同时,提高体系的储藏以及老化稳定性。
为了思想本发明的目的,提出以下技术方案:
一种储藏稳定单组份湿气固化有机硅组合物,所述组合物按重量计由下述组分构成:
羟基封端的聚有机硅氧烷A 15%~90%;
交联剂B 0.5%~10%;
催化剂C 0.01%~5%;
胺丙基肟基硅烷D 0.1~5%;
添加剂E; 其中,
所述羟基封端的聚有机基硅氧烷A表示为HO-(SiR8R9-O)nH,,其中n是使其粘度在1000到500000厘泊之间的整数,R8与R9可分别选自单价碳氢基团和单价卤化烃基;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京天山新材料技术股份有限公司,未经北京天山新材料技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310320614.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类