[发明专利]抗冲击硅基MEMS麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种抗冲击硅基MEMS麦克风，包括：

硅基底，在该硅基底中形成有背孔；

振膜，该振膜支撑在所述硅基底上并设置在所述硅基底中的背孔的上方；

穿孔背板，该穿孔背板设置在所述振膜的上方；

空气间隙，该空气间隙形成在所述振膜和所述穿孔背板之间；以及

限幅机构，该限幅机构形成在所述硅基底的背孔中，并支撑在所述背孔的侧壁上，在该限幅机构与所述振膜之间形成有预定间隔。

2.如权利要求1所述的抗冲击硅基MEMS麦克风，其中，

所述振膜由多晶硅形成。

3.如权利要求1所述的抗冲击硅基MEMS麦克风，其中，

所述穿孔背板由多晶硅形成。

4.如权利要求1所述的抗冲击硅基MEMS麦克风，其中，

所述穿孔背板由具有内嵌金属层的钝化层形成，其中所述金属层用作所述穿孔背板的电极。

5.如权利要求1所述的抗冲击硅基MEMS麦克风，还包括突出件，该突出件从与所述振膜相对的所述穿孔背板的下表面突出。

6.如权利要求1所述的抗冲击硅基MEMS麦克风，其中，

所述限幅机构形成为一字形、川字形、十字形、井字形和Y字形中的一种或多种。

7.一种抗冲击硅基MEMS麦克风的制造方法，包括：

a）在硅基底上沉积第一电介质氧化物层；

b）在所述第一电介质氧化物层上形成包含第一多晶硅的振膜；

c）在所述振膜上沉积第二电介质氧化物层；

d）在所述第二电介质氧化物层上形成穿孔背板；

e）在所述振膜下方的硅基底中一体形成背孔和限幅机构；以及

f）去掉所述振膜与所述限幅机构之间的第一电介质氧化物层以及所述振膜与所述穿孔背板之间的第二电介质氧化物层。

8.如权利要求7所述的抗冲击硅基MEMS麦克风的制造方法，其中，

在步骤c）和步骤d）之间还包括：在所述第二电介质氧化物层中形成突出件。

9.如权利要求7所述的抗冲击硅基MEMS麦克风的制造方法，其中，

所述穿孔背板包含第二多晶硅。

10.如权利要求7所述的抗冲击硅基MEMS麦克风的制造方法，其中，

所述穿孔背板由具有内嵌金属层的钝化层形成，其中所述金属层用作所述穿孔背板的电极。