[发明专利]晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

A.根据电池背面局域接触参数的需求进行掩膜版设计，包括图型、线条的宽度及与硅片接触点的大小；

B.将制绒、扩散和去磷硅玻璃后的硅片放入载片舟中，使硅片背表面为预备镀膜面，然后在背表面上放置掩膜版，通过载片舟上的定位点将掩膜版固定在硅片上面，使硅片与掩膜版之间形成紧密接触；

C.进行钝化膜沉积工艺，所镀的钝化膜为内层二氧化硅、外层氮化硅的双层膜，或者是三氧化铝单层膜，或是内层三氧化铝、外层氮化硅的双层膜；

D.将硅片取出，在硅片上表面镀减反膜并依次进行背表面和上表面的电极印刷和烧结工艺，最终得到完整的电池结构。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于：所述的钝化膜中，二氧化硅采用热氧化法或增强型等离子体化学气相沉积法制备，厚度在10-20nm；三氧化铝采用增强型等离子体化学气相沉积法制备，厚度在10-100nm；氮化硅采用增强型等离子体化学气相沉积法制备，厚度在50-200nm。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于：所述的掩膜版以若干条平行的、宽度为0.1-2mm的掩膜条组成线状图型；或以掩膜条连接掩膜版的中心和四个顶点构成框架，在框架之间若干条平行于的掩膜版边缘、宽度为0.1-2mm的掩膜条组成环形图型；或在掩膜版上镂空若干个直径0.1-3mm的通孔形成网状图型。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面局域接触结构的制备方法，其特征在于：所述的掩膜版通过载片舟上的定位点卡在硅片上，掩膜条前端光滑平整。