[发明专利]放射线敏感性树脂组合物、抗蚀图案形成方法、聚合物和聚合性化合物

权利要求书

1.一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于，含有：具有酸解离性基团的聚合物(A)、通过放射线照射而产生酸的产酸剂(B)、以及具有下述通式(c2-1)表示的重复单元和氟原子的聚合物(C)，所述聚合物(C)为氟原子含有比例比所述聚合物(A)高的聚合物；

通式(c2-1)中，

n表示1～3的整数；

R表示氢原子、甲基或者三氟甲基；

R²表示单键、碳原子数为1～10的2价链状烃基或者碳原子数为4～20的2价环状烃基；

R³表示碳原子数为1～20的(n+1)价的链状结构的烃基、或者碳原子数为1～20的从脂环式烃中除去(n+1)个氢原子而得的结构的(n+1)价的烃基，还包括在R²侧的末端结合有氧原子、硫原子、亚氨基、羰基、-CO-O-或者-CO-NH-的结构；

X¹表示单键、二氟亚甲基或者碳原子数为2～20的直链状或支链状的全氟亚烷基；

R⁸表示至少一个氢原子被取代为氟原子的碳原子数为1～10的氟取代烃基。

2.根据权利要求1所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，所述聚合物(C)为进一步具有下述通式(c3)表示的重复单元或者下述通式(c4)表示的重复单元的聚合物；

通式(c3)中，

R与通式(c2-1)的说明意思相同；

G表示单键、氧原子、硫原子、-CO-O-、-SO₂-O-NH-、-CO-NH-、-O-CO-NH-；

R⁴表示至少一个氢原子被取代为氟原子的碳原子数为1～6的氟取代链状烃基、或者至少一个氢原子被取代为氟原子的、碳原子数为4～20的氟取代环状烃基，

通式(c4)中，

R与通式(c2-1)的说明意思相同；

A表示-O-或-CO-O-*，其中，-O-不包括直接与芳香环、羰基和磺酰基连结的氧原子，“*”表示与R⁷结合的结合位点；

R⁷为氢原子或者酸解离性基团；

R⁶与通式(c2-1)的R²意思相同，R⁵与通式(c2-1)的R³意思相同，X²与通式(c2-1)的X¹意思相同；

m表示1～3的整数；

其中，在m为2或3时，R⁶、R⁷、X²和A相互独立。

3.根据权利要求1所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，所述聚合物(C)为进一步具有下述通式(c5)表示的重复单元的聚合物，

通式(c5)中，R与通式(c2-1)中的R含义相同，Y表示酸解离性基团。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的放射线敏感性树脂组合物，其中，相对于所述聚合物(A)100质量份，含有所述聚合物(C)0.1～20质量份。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的放射线敏感性树脂组合物，为浸液曝光用的放射线敏感性树脂组合物。

6.一种抗蚀图案形成方法，其特征在于，具备以下工序：

被膜形成工序(1)，在基板上形成由权利要求1～5中任一项所述的放射线敏感性树脂组合物构成的抗蚀被膜；

曝光工序(2)，介由掩模图案对所述抗蚀被膜照射放射线，使所述抗蚀被膜曝光；

显影工序(3)，对已曝光的所述抗蚀被膜进行显影，形成抗蚀图案。

7.根据权利要求6所述的抗蚀图案形成方法，其中，所述曝光工序(2)为在所述被膜形成工序(1)中形成的抗蚀被膜上配置浸液曝光液，介由所述浸液曝光液使所述抗蚀被膜曝光的工序。

8.一种聚合物，其特征在于，具有下述通式(c2-1)表示的重复单元；

通式(c2-1)中，

n表示1～3的整数；

R表示氢原子、甲基或者三氟甲基；

R²表示单键、碳原子数为1～10的2价链状烃基或者碳原子数为4～20的2价环状烃基；

R³表示碳原子数为1～20的(n+1)价的链状结构的烃基、或者碳原子数为1～20的从脂环式烃中除去(n+1)个氢原子而得的结构的(n+1)价的烃基，还包括在R²侧的末端结合有氧原子、硫原子、亚氨基、羰基、-CO-O-或者-CO-NH-的结构；

X¹表示单键、二氟亚甲基或者碳原子数为2～20的直链状或支链状的全氟亚烷基；

R⁸表示至少一个氢原子被取代为氟原子的碳原子数为1～10的氟取代烃基。