[发明专利]使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法

权利要求书

1.一种用于接合半导体表面的方法，其包含：

提供具有第一接合区的第一衬底，其中，该接合区包含为多孔化表面的第一接合表面；

提供具备具有第二接合表面的第二接合区的第二衬底；

于高温通过施加压力对齐并且接合该第一接合表面与该第二接合表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该多孔化表面包含如硅、锗或硅锗的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其包含在该第一接合区中形成该多孔化表面，其中，形成该多孔化表面包含染色蚀刻或阳极化。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在该多孔化表面上方形成金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在该第二接触区上方形成金属层以形成该第二接触表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在该第一接合表面上方形成第一金属层以及在该第二接合表面上方形成第二金属层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，该金属层包含钛Ti、铜Cu或铝Al。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，该金属层包含烧结金属或金属纳米线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该烧结金属或金属纳米线由钛Ti、铜Cu、铝Al构成。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含位于该第一接合表面上方的SAM层。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含位于该第二接合表面上方的SAM层。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含位于该第一接合表面上方的吸气层。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含位于该第二接合表面上方的吸气层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合表面的接合包含共晶接合或热压接合。

15.一种在制造MEMS结构时用于接合半导体表面的方法，其包含：

提供具有第一装置与第一接合区的第一半导体表面；

提供具有第二装置与第二接合区的第二半导体表面；

在该第一接合表面或该第二接合表面上提供多孔化表面；以及

于高温通过施加压力对齐并且接合该第一接合表面与该第二接合表面。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，该多孔化表面包含如硅、锗或硅锗的材料。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，提供该多孔化表面包含通过染色蚀刻或阳极化工艺形成该多孔化表面。

18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含在该多孔化表面上方提供金属层。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含在非多孔化表面上方提供金属层。

20.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含在该第一接合表面上方提供第一金属层以及在该第二接合表面上方提供第二金属层。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，该金属层包含钛Ti、铜Cu或铝Al。

22.根据权利要求19所述的方法，其中，该金属层包含烧结金属或金属纳米线。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，该烧结金属或金属纳米线包含钛Ti、铜Cu、铝Al。

24.根据权利要求15所述的方法，其中，所述接合表面的该接合包含共晶接合或热压接合。

25.一种制造MEMS结构的方法，其包含：

在第一半导体表面上形成MEMS装置及具有多孔化表面的第一接合区并且将该第一半导体表面接合至具有第二接合区的第二半导体表面以形成MEMS结构。