[发明专利]一种原子层沉积设备

权利要求书

1.一种原子层沉积设备，包括反应腔室和气源，其特征在于，所述反应腔室包括气体分配板、基盘和旋转驱动机构，其中：

所述气体分配板设置在所述反应腔室内的顶部，用于对来自所述气源的气体向所述反应腔室内的各个区域流动的流量进行分配；

所述基盘设置在所述反应腔室内，用以承载基片，且所述基盘的上表面与所述气体分配板的下表面相互叠置，且在二者之间形成有沿反应腔室的周向间隔且均匀分布的多个子空间，所述多个子空间按工序的先后顺序排列，每个所述子空间用于对基片完成单次工艺中的其中一个工序；

所述旋转驱动机构，用于驱动所述基盘相对于所述气体分配板旋转，以使所述基盘带动置于其上的所有基片按工序的先后顺序依次置于各个所述子空间内进行工艺。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述基盘的上表面和/或所述气体分配板的下表面设置有沿所述基盘的轴向环绕的环形凹部，用以使所述基盘的上表面与所述气体分配板的下表面之间形成环形空间；

所述气体分配板的下表面上，且位于/对应所述环形空间内的位置均匀分布有多个工艺进气口和隔离进气口，其中，多个所述隔离进气口沿反应腔室的周向间隔且均匀设置，用以将多个所述工艺进气口分为沿反应腔室的周向间隔且均匀设置的多组，每组工艺进气口所在的部分环形空间形成工艺区域；且所述气体分配板的下表面上，且环绕/对应环绕所述环形空间的位置，设置有多个辅助进气口，所述辅助进气口和所述隔离进气口所在的部分环形空间形成隔离区域；并且

所述气源包括隔离气源和工艺气源，位于隔离区域内的所述辅助进气口和所述隔离进气口均与所述隔离气源连通，所述隔离气源经由与之连通的所述辅助进气口和隔离进气口向所述环形空间提供不与所述工艺气体反应的隔离气体，该隔离气体形成环绕在各个工艺区域周围的气墙，所述气墙将所述环形空间划分形成多个所述子空间；

位于各个工艺区域内的工艺进气口与所述工艺气源连通，所述工艺气源经由与之连通的工艺进气口向各个所述子空间内提供相应工序所需的气体。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，在所述基盘的上表面和/或所述气体分配板的下表面形成有沿所述基盘的轴向环绕的环形凹部，用以使所述基盘的上表面与所述气体分配板的下表面之间形成一环形空间；

在所述气体分配板的下表面上，位于/对应所述环形空间内均匀分布有多个工艺进气口和隔离进气口，其中，所述隔离进气口沿反应腔室的周向间隔且均匀设置，用以将多个所述工艺进气口分为沿反应腔室的周向间隔且均匀设置的多组；每组工艺进气口所在的部分环形空间形成工艺区域；且所述隔离进气口所在的部分环形空间形成隔离区域；并且

所述气源包括隔离气源和工艺气源，位于隔离区域内的隔离进气口与所述隔离气源连通；所述隔离气源经由与之连通的隔离进气口向所述环形空间内提供不与所述工艺气体反应的隔离气体，该隔离气体在所述环形空间内形成位于相邻的两个所述工艺区域之间的气墙，所述气墙将所述环形空间划分形成封闭的多个所述子空间；

位于各个工艺区域内的工艺进气口与所述工艺气源连通，所述工艺气源经由与之连通的工艺进气口向各个所述子空间内提供相应工序所需的工艺气体。

4.根据权利要求2或3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述基盘的上表面和所述气体分配板的下表面可相对旋转地配合，且在二者之间设置有动密封件，用以密封所述环形空间。

5.根据权利要求2或3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述气体分配板的上表面与所述反应腔室的顶壁的下表面相互叠置，并且在所述气体分配板的上表面上，且与各个所述工艺区域相对应的位置处设置有第一凹部，所述第一凹部和与之相对的所述反应腔室的顶壁的下表面形成第一匀流空间，并且，位于每个所述工艺区域内的工艺进气口和与该工艺区域相对应的所述第一匀流空间连通；

在所述气体分配板的上表面上，且与所述隔离区域相对应的位置处设置有第二凹部，所述第二凹部和与之相对的所述反应腔室的顶壁的下表面形成第二匀流空间，并且，位于所述隔离区域内的隔离进气口和与该隔离区域相对应的所述第二匀流空间连通。