[发明专利]实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚及其制备方法

权利要求书

1.一种实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚，包括氮化硅坩埚，其特征在于氮化硅坩埚内壁依次喷涂有氮化硅涂层和硅粉涂层。

2.根据权利要求1所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚，其特征在于氮化硅涂层的厚度为0.5～2mm。

3.根据权利要求1所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚，其特征在于硅粉涂层的厚度为0.5～2mm。

4.一种权利要求1所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）氮化硅涂层的配料：将氮化硅粉体、蒸馏水和硅溶胶混合搅拌1～2h，得到氮化硅涂层用的悬浊液，静置待用；

（2）氮化硅涂层的喷涂：用喷枪将步骤（1）得到的悬浊液均匀的喷涂到氮化硅坩埚的内表面，直至外观上无明显露点且厚度均匀为止；

（3）氮化硅涂层的烧结处理：将经过喷涂氮化硅涂层后的氮化硅坩埚置于真空熔炼炉中，加热升温至1050～1100℃，保温1～2h后出炉冷却至室温，从而形成致密的氮化硅涂层；

（4）硅粉涂层的配料：将硅粉与酒精混合搅拌1～2h，得到硅粉涂层用的悬浊液，静置待用；

（5）硅粉涂层的喷涂：用喷枪将步骤（4）得到的悬浊液均匀的喷涂到经步骤（3）处理得到的氮化硅坩埚的内表面，直至外观上无明显露点且厚度均匀为止；

（6）硅粉涂层的风干：将经过喷涂硅粉涂层后的氮化硅坩埚在自然条件下风干12～15h，从而得到实现多晶硅铸锭无黑边的铸锭用坩埚。

5.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（1）中氮化硅粉体中的有效氮化硅质量分数为99.99%以上。

6.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（1）中氮化硅粉体的粒度为0.05～3μm。

7.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（1）中氮化硅粉体、蒸馏水和硅溶胶三者的质量比为4～5:10～15:2。

8.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（4）中硅粉的纯度为9N以上。

9.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（4）中硅粉的粒度为0.05～3μm。

10.根据权利要求4所述的实现多晶硅铸锭无黑边的坩埚制备方法，其特征在于步骤（4）中硅粉与酒精的比例为0.2～0.25kg：500～1000ml。