[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310317861.8 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN103489871A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大原宏树;佐佐木俊成;野田耕生;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘表面上的栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的含铟的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极层重叠的沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的边缘；
所述氧化物绝缘层上的源电极层，该源电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述氧化物绝缘层上的漏电极层，该漏电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；以及
所述无机绝缘膜上的像素电极层，该像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一方电接触，
其中，所述源电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，
其中，所述漏电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第二端重叠。
2.一种半导体装置，包括：
绝缘表面上的栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的含铟的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括隔着所述栅极绝缘层与所述栅电极层重叠的沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的边缘；
所述氧化物绝缘层上的源电极层，该源电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述氧化物绝缘层上的漏电极层，该漏电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；
所述无机绝缘膜上的含树脂的绝缘层；以及
所述绝缘层上的像素电极层，该像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一方电接触，
其中，所述源电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，
其中，所述漏电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第二端重叠。
3.一种半导体装置，包括：
绝缘表面上的栅极布线层；
所述栅极布线层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的含铟的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括隔着所述栅极绝缘层与所述栅极布线层重叠的沟道形成区；
所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层，该氧化物绝缘层具有第一接触孔和第二接触孔，其中所述氧化物绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的边缘；
所述氧化物绝缘层上的源电极层，该源电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第一接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述氧化物绝缘层上的漏电极层，该漏电极层通过所述氧化物绝缘层的所述第二接触孔与所述氧化物半导体层电接触；
所述源电极层和所述漏电极层上的无机绝缘膜；
所述无机绝缘膜上的含树脂的绝缘层；以及
所述绝缘层上的像素电极层，该像素电极层与所述源电极层和所述漏电极层中的一方电接触，
其中，所述源电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第一端重叠，
其中，所述漏电极层隔着所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的第二端重叠，
其中，整个所述氧化物半导体层与所述栅极布线层重叠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
