[发明专利]MIM电容器的形成方法在审
| 申请号： | 201310317731.4 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103390542A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 形成 方法 | ||
1.一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在100-200℃温度范围内，去除所述基底表面的水汽；
去除所述水汽后，在所述基底上形成AlCu层；
在所述AlCu层上形成介质层；
在所述介质层上形成金属层。
2.如权利要求1所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu层与所述介质层之间还形成有氮化钛层。
3.如权利要求1所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu层的厚度大于或者等于1μm。
4.如权利要求1或2所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述介质层为氮化硅层或氮化硼层。
5.如权利要求1所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述金属层为氮化钛层。
6.一种MIM电容器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
去除所述基底表面的水汽；
去除所述水汽后，冷却所述基底至200℃以下；
冷却所述基底后，在所述基底上形成AlCu层；
在所述AlCu层上形成介质层；
在所述介质层上形成金属层。
7.如权利要求6所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu层与所述介质层之间还形成有氮化钛层。
8.如权利要求6所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述AlCu层的厚度大于或者等于1μm。
9.如权利要求6或7所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，所述介质层为氮化硅层或氮化硼层。
10.如权利要求6所述的MIM电容器的形成方法，其特征在于，冷却所述基底至200℃以下包括：冷却所述基底至100℃以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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