[发明专利]一种交流驱动OLED电路、驱动方法及显示装置有效
申请号: | 201310317705.1 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN103366682A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 青海刚;祁小敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 驱动 oled 电路 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种交流驱动OLED电路、驱动方法及显示装置。
背景技术
OLED是由驱动晶体管在饱和状态时产生的电流来驱动发光的。目前,OLED面临着很多问题,其中最主要是:
一、作为有机发光二极管OLED的主流驱动技术低温多晶硅(LTPS)工艺,制程上晶体管阈值电压Vth的均匀性非常差,导致输入相同的灰阶电压时,不同的临界电压会产生不同的驱动电流,造成电流的不一致性。除了电路针对低温多晶硅(LTPS)工艺上晶体管阈值电压Vth的差异进行了补偿外,改善工艺也是一种解决办法,如氧化物薄膜晶体管作为非常有潜力背板驱动技术,制程上能达到的均匀性就非常好,能很好解决阈值的不均匀性问题;影响亮度均匀性的另一个因素是内阻,由于线路存在内阻,而OLED是电流驱动的发光器件,一旦有电流通过,线路上必然产生压降,因此会直接导致不同位置的电源电压达不到要求的电压。
二、有机发光二极管OLED的老化问题,这是所有OLED发光显示都必须面对的共性问题,由于现有技术大多使用直流驱动,空穴和电子的传输方向是固定不变的,它们分别从正负极注入到发光层,在发光层中形成激子,辐射发光。其中未参与复合的多余空穴(或电子),或者积累在空穴传输层/发光层(或发光层/电子传输层)界面,或者越过势垒流入电极。随着OLED使用时间的延长,在发光层的内部界面积累的很多未复合的载流子使得OLED内部形成内建电场,导致发光二极管的阈值电压Vth不断升高,其发光亮度也会不断降低,能量利用效率也逐步降低。没有从根本上解决OLED的老化问题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种交流驱动OLED电路、驱动方法及显示装置,以解决OLED发光引起的显示不均匀和OLED的老化问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种交流驱动OLED电路,所述电路包括:发光控制单元、充电单元、驱动单元、第一存储单元、第二存储单元、第一发光单元、第二发光单元、第一电压控制单元和第二电压控制单元;
所述发光控制单元分别与所述驱动单元、第一存储单元和第一电压控制单元连接;用于在发光控制信号的控制下控制所述发光单元发光;
所述充电单元分别与所述驱动单元、第一存储单元、第二存储单元、第一发光单元、第二发光单元和第二电压控制单元连接;用于在扫描信号和数据信号的控制下对所述第一存储单元和第二存储单元进行充电;
所述驱动单元,分别与所述第一存储单元、第二存储单元、第一发光单元和第二发光单元连接,用于控制所述第一发光单元和第二发光单元发光;
所述第一存储单元分别与所述第一电压控制单元和第二存储单元连接;用于存储数据信号或导通所述驱动单元;
所述第二存储单元分别与所述第一发光单元和第二发光单元连接;用于存储数据信号或导通所述驱动单元;
所述第一发光单元与第二电压控制单元连接,用于在所述第一电压控制单元、充电单元和驱动单元的控制下发光;
所述第二发光单元与第二电压控制单元连接,用于在所述第二电压控制单元和充电单元的控制下发光;
所述第一电压控制单元,分别与所述发光控制单元和第一存储单元连接,用于对所述第一存储单元和第一发光单元提供电能;
所述第二电压控制单元,分别与所述充电单元、第一发光单元和第二发光单元连接,用于对所述第二存储单元和第二发光单元提供电能。
进一步地,所述发光控制单元包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接发光控制信号;所述第一晶体管的源极与所述第一电压控制单元连接;所述第一晶体管的漏极与所述驱动单元连接。
进一步地,所述驱动单元包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极与所述发光控制单元连接;所述驱动晶体管的栅极和漏极分别与所述第一存储单元的两端连接连接。
进一步地,所述充电单元包括:
第二晶体管,所述第二晶体管的栅极连接扫描信号;所述第二晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极连接;所述第二晶体管的漏极和所述第二电压控制单元连接;
第三晶体管,所述第三晶体管的栅极连接扫描信号;所述第三晶体管的源极连接数据信号;所述第三晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极连接。
进一步地,所述第一存储单元包括:
第一电容,所述第一电容的两端分别与所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的漏极连接。
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