[发明专利]预烧结半导体芯片结构

权利要求书

1.一种形成烧结连接的方法，包括：

将半导体芯片与干烧结料抵压在基片上，所述干烧结料位于所述基片与所述半导体芯片之间，所述干烧结料包括烧结颗粒和溶剂；

当所述半导体芯片被抵压在所述基片上时，将所述基片加热至低于所述干烧结料的烧结温度，以在相邻所述烧结颗粒间形成局部烧结连接，所述局部烧结连接在烧结之前共同提供将所述半导体芯片固定到所述基片上的固定接合；以及

在形成所述固定接合后，由所述干烧结料形成所述半导体芯片和所述基片之间的烧结连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述烧结颗粒包括银，而且所述基片被加热至100℃至200℃之间的温度以形成所述局部烧结连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述烧结颗粒包括铜，并且在惰性气氛中，在有或者没有少量氧气的参与下形成所述局部烧结连接和所述烧结连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述基片加热至所述溶剂的蒸发温度和所述干烧结料的烧结温度之间的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干烧结料为设置在所述半导体芯片或所述基片上的干银浆料、多孔银预制体或多孔银层中的其中一个。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在加热所述基片的过程中，在0.2N/mm²和5N/mm²之间的压力下将所述半导体芯片抵压在所述基片上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在加热所述基片的过程中，在大于100N的力下将所述半导体芯片抵压在所述基片上以形成所述局部烧结连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述烧结连接的孔隙率小于20%。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干烧结料的孔隙率在60%到80%之间。

10.一种预烧结结构，包括：

基片；

设置于所述基片上的半导体芯片；

位于所述基片和所述半导体芯片之间的干烧结料，所述干烧结料包括烧结颗粒和溶剂，并且所述干烧结料的孔隙率大于20%；以及

相邻的所述烧结颗粒之间的局部烧结连接，所述局部烧结连接共同地将所述半导体芯片固定在所述基片上，在所述半导体芯片和所述基片之间没有形成完全烧结的连接。

11.根据权利要求10所述的预烧结结构，其中，所述干烧结料为设置在所述半导体芯片或所述基片上的干银浆料、多孔银预制体或多孔银层中的其中一个。

12.根据权利要求10所述的预烧结结构，其中，所述烧结颗粒包括银、铜、金或钯的一种。

13.根据权利要求10所述的预烧结结构，其中，所述干烧结料的孔隙率在60%到80%之间。

14.一种形成预烧结连接的方法，包括：

在基片上或者附接至所述基片的半导体芯片上形成烧结料，所述烧结料包括烧结颗粒和溶剂；

在高于所述溶剂的蒸发温度下干燥所述烧结料，以形成一种干烧结料，所述干烧结料具有降低的溶剂量；

将所述半导体芯片与所述干烧结料抵压在所述基片上，所述干烧结料位于所述基片和所述半导体芯片之间；以及

当所述半导体芯片被抵压在所述基片上时，将所述基片加热至低于所述干烧结料的烧结温度，以在相邻的所述烧结颗粒间形成局部烧结连接，所述局部烧结连接在烧结之前共同提供将所述半导体芯片固定到所述基片上的固定接合。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烧结颗粒包括银，并且所述基片被加热至100℃至200℃之间的温度以形成所述局部烧结连接。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烧结颗粒包括铜，并在惰性气氛下形成所述局部烧结连接。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烧结料为银浆料。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，在加热所述基片的过程中，在0.2N/mm²与5N/mm²之间的压力下将所述半导体芯片抵压在所述基片上以形成所述局部烧结连接。