[发明专利]基于操作温度调整NVM单元偏置条件以降低性能退化的方法和系统

权利要求书

1.一种集成非易失性存储器NVM系统，包括：

非易失性存储器NVM单元的阵列；

偏压发生器电路，被配置为生成非易失性存储器NVM单元的偏压；以及

控制器电路，被配置为获得与所述非易失性存储器NVM系统有关的操作温度测量，基于温度测量来确定所述非易失性存储器NVM系统的性能退化，以及基于性能退化确定来调整由所述偏压发生器电路生成的偏压的至少一个电压水平，

其中所述控制器电路进一步被配置为使用所调整的至少一个电压水平进行所述非易失性存储器NVM系统的存储器操作；

其中对于所述存储器操作为编程操作，如果操作温度测量高于阈值操作温度，所述至少一个电压水平包括栅极偏压的电压水平，其被调整为高于默认栅极偏压电压水平；

其中对于所述存储器操作为擦除操作，如果操作温度测量低于阈值操作温度，所述至少一个电压水平包括体偏压的电压水平，其被调整为高于默认体偏压电压水平。

2.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述栅极偏压的所述电压水平被调整为高出小于或等于500毫伏的量。

3.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述编程操作包括软编程操作。

4.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述体偏压的所述电压水平被调整为高出小于或等于500毫伏的量。

5.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述控制器电路进一步被配置为在所述存储器操作之后将所述至少一个调整的电压水平重置为默认水平。

6.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述控制器电路进一步被配置为在所述存储器操作之后存储表示所述至少一个调整的电压水平的信息。

7.根据权利要求1所述的集成非易失性存储器NVM系统，其中所述偏压发生器电路包括被置于所述集成非易失性存储器NVM系统上的不同位置的至少两个电路块。

8.一种操作集成非易失性存储器NVM系统的方法，包括：

获得与非易失性存储器NVM系统内的非易失性存储器NVM单元的阵列有关的操作温度测量；

基于所述操作温度测量确定性能退化；

基于性能退化确定来调整用于所述非易失性存储器NVM单元的由偏压发生器生成的至少一个偏压；以及

使用所调整的至少一个偏压执行所述非易失性存储器NVM系统的至少一个存储器操作；

若所述执行步骤为执行编程操作，如果操作温度测量高于阈值操作温度，则所述调整步骤增加栅极偏压的电压水平；

若所述执行步骤为执行擦除操作，如果操作温度测量低于阈值操作温度，则所述调整步骤增加体偏压的电压水平。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述调整步骤将所述栅极偏压的所述电压水平增加小于或等于500毫伏的量。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述调整步骤将所述体偏压的所述电压水平增加小于或等于500毫伏的量。

11.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述执行步骤之后将所述至少一个调整的偏压重置为默认电压水平。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括确定基于温度的调整在执行所述获得、确定、调整和执行步骤之前是否已被启动。