[发明专利]一种电容式触摸屏的双掩膜方式生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电子产品的触摸屏加工方法，主要涉及一种电容式触摸屏的双掩膜方式生产工艺。

背景技术

传统的电容式触摸屏金属引线与金属“过桥”制作过程中，由于环境尘埃、Mask缺陷，曝光显影、刻蚀过程中在显示透明区域产生较多的多余“金属点、线”，使得显示区域出现不透明的点线缺陷，同时这些“金属点、线”出现在引线区域则会造成引线短路使器件失效，特别是大尺寸触摸屏，这种问题造成的废品的比率则非常高。目前常用的办法是手工式激光修复，由于触摸屏面积越来越大，点线缺陷越来越多，而且寻找金属点与准确定位并用激光一个点一个点修复，需要相当多的激光修补机及自动化检查装置，且需要较多人员修补，用时修一个，需要相当多的时间。

发明内容

本发明的目的是提供一种电容式触摸屏的双掩膜方式生产工艺，该生产工艺可以有效解决在制作金属引线与“过桥”过程中形成的点、线缺陷问题以提高产品的良率。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种电容式触摸屏的双掩膜方式生产工艺，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：先在玻璃板上做好氧化铟锡（ITO）层，然后制作第一保护层；

步骤2：制作金属层，分为：第一次掩膜加工：包括清洗、涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜、酸性蚀刻、去胶、清洗；制作第二保护层；第二次掩膜加工；包括清洗、涂光刻胶、前烘、曝光、显影、坚膜、酸性蚀刻、去胶、清洗；

步骤3：丝印双面可剥胶、切割、电测。

     本发明是在制作好第一保护层后进行第一次掩膜加工进行金属图形蚀刻，并在形成第二保护层后，通过二次掩膜加工，包括涂光刻胶、曝光等工艺，其中通过第一次掩膜加工的工艺设计配合第二次掩膜加工的工艺改进，以解决金属引线与“过桥”过程中形成的点、线缺陷问题并提高产品的良率。 

作为优选，步骤2中第一次掩膜加工和第二次掩膜加工中的曝光工序均使用掩膜板（MASK板），第二次掩膜加工中的掩膜板的遮掩图形为金属层的图形，且在第二次掩膜加工中的曝光工序时掩膜板与金属层的距离控制在50μm-100μm。第一次掩膜加工中的掩膜板遮掩的图形即需要保护的图形优选包括金属层的图形以及氧化铟锡层等其他需要保护的图形，在制作好第二保护层后保护除金属镀膜区域以外的结构，第二次掩膜加工中用另外一块掩膜板通过曝光显影后的光刻胶将已形成的金属图形遮盖住，此时仅需要对金属层进行遮掩，不需要的金属点、线暴露在外面，利用刻蚀液直接将这些影响产品良率的金属点、线蚀刻掉，该优选方式可以更好地保护其他结构层又能更好的对金属层进行加工，使得第二次掩膜加工可以得到强化，有效消除不需要的金属点、线从而提高良率。 

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的曝光工序采用紫外光照射，曝光量40mj/cm2 -100 mj/cm2,时间1 s -5s,照度20 mw/ cm2-50mw/ cm2。

作为优选，步骤2中第一次掩膜加工和第二次掩膜加工中的涂光刻胶工序中涂胶膜厚1μm-2μm。

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的前烘工序时在100℃-150℃下，烘烤8 min-13 min。

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的显影工序时采用浓度为0.5%-1.5%的NaOH碱液，显影时间50s -150s。

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的酸性蚀刻工序采用的酸性溶液为：磷酸60%~100%+ 醋酸10%~15%。

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的酸性蚀刻工序时间为5-15分钟。

作为优选，步骤2中第二次掩膜加工中的去胶工序采用有机溶液：四甲基氢氧化铵5%-9%

与现有技术相比，本发明具有的优点和效果如下：

1、本发明采用两次不同的金属蚀刻，可以同时大批量的生产加工，大大提高了生产效率；

2、本发明所述电容式触摸屏的双掩膜方式生产工艺，“金属点、线”缺陷没有光刻胶保护，在刻蚀时刻蚀掉，金属引线间的连线短路部分也没有光刻胶保护，刻蚀时也刻蚀掉，去除短路废品，极大地提高了产品良率。

附图说明

图1 是本发明实施例1中第一次掩膜加工后金属层中具有多余的金属点、线的产品的结构示意图；

图2是图1产品在第二次掩膜加工中涂光刻胶、前烘、曝光时的结构示意图；

图3是图2产品在第二次掩膜加工中显影、坚膜、酸性蚀刻时的结构示意图；

图4是图3产品在第二次掩膜加工中去胶、清洗后的结构示意图。