[发明专利]隧穿场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种遂穿场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体层；

第一栅介质层和第二栅介质层，分别位于半导体层的相对的两个表面上；

源极区和漏极区，具有不同的掺杂类型，分别位于半导体层的两侧且与半导体层相接触；

第一栅极和第二栅极，分别位于第一栅介质层和第二栅介质层上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体层的厚度不大于10nm。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极区和漏极区通过外延生长形成。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极区和漏极区分别位于半导体层和部分第一栅极、部分第二栅极的两侧，所述源极区和所述漏极区与第一栅极、第二栅极之间具有隔离层，以使第一栅极、第二栅极不覆盖所述半导体层的全部。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，源漏接触及第一栅极、第二栅极的接触从同一侧引出。

6.一种遂穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

步骤S01，提供第一支撑衬底；

步骤S02，在第一支撑衬底上依次形成第一去除层、半导体层、第一栅介质层和第一栅极，以及在半导体层的两侧形成具有不同的掺杂类型、与半导体层相接触的源极区和漏极区；步骤S03，形成覆盖源极区、漏极区和第一栅极的介质层；

步骤S04，将介质层与第二支撑衬底键合；

步骤S05，以第二支撑衬底为支撑，去除第一支撑衬底以及第一去除层，并在半导体层上依次形成第二栅介质层和第二栅极；

步骤S06，完成器件的后续步骤。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一支撑衬底为半导体衬底，所述步骤S02具体包括：

第一支撑衬底上依次形成有第一去除层、半导体层、第一栅介质层、第二去除层和第一掩膜层；

图案化所述第一掩膜层和第二去除层，并在所述第一掩膜层和第二去除层侧壁形成第三去除层；

在第一掩膜层及第三去除层的掩蔽下，去除第一栅介质层及其下的半导体层和第一去除层，并重新形成第二掩膜层，同时去除第一掩膜层；

在第二掩膜层和第三去除层的掩蔽下，去除第二去除层及其下的第一栅介质层、半导体层和第一去除层，并重新形成源极区和其上的第一介质层；

在第一介质层和第三去除层的掩蔽下，去除第二掩膜层，并重新形成漏极区和其上的第二介质层，源极区和漏极区具有不同的掺杂类型，源极区和漏极区与半导体层相接触；

去除第三去除层以形成第一开口，在第一开口侧壁形成第一隔离层，并填充第一开口以形成第一栅极。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，第一去除层为二氧化硅，半导体层为硅，第二去除层为多晶硅，第一掩膜层和第三去除层为氮化物，第二掩膜层为锗硅。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，步骤S05的步骤具体为：以第二支撑衬底为支撑，去除第一支撑衬底以及第一去除层以形成第二开口，在半导体层上形成第二栅介质层，并在第二开口的侧壁形成第二隔离层，并填充第二开口以形成第二栅极。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层的厚度不大于10nm。

11.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在步骤S03之前还包括步骤：形成连接第一栅极的第一金属层；

步骤S06包括：形成连接第二栅极的第二金属层；

形成源漏接触，以及分别与第一金属层和第二金属层连接的接触。