[发明专利]双重图形结构及其形成方法

权利要求书

1.一种双重图形结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层；

在所述待刻蚀层上形成应力层；

在所述应力层上形成具有若干开口的牺牲层，所述开口暴露出部分应力层的表面；

在所述应力层和牺牲层表面形成侧墙材料层；

在所述侧墙材料层表面形成填充满所述开口的介质层；

以所述牺牲层为停止层，对所述介质层进行平坦化，暴露出牺牲层的顶部表面；

去除所述牺牲层和介质层；

以所述侧墙材料层为掩膜，刻蚀所述应力层，形成贯穿所述应力层的凹槽。

2.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述应力层为单层结构或双层结构。

3.根据权利要求2所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅、碳化硅或正硅酸乙酯。

4.根据权利要求2所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的厚度为

5.根据权利要求2所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述单层结构的应力层具有压应力或张应力。

6.根据权利要求2所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述应力层的应力大小为50MPa～1000MPa。

7.根据权利要求2所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述双层结构的应力层包括位于所述待刻蚀层上的张应力层和位于所述张应力层表面的压应力层。

8.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为光刻胶、抗反射涂层或氮化硅。

9.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述侧墙材料层。

10.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为光刻胶、抗反射材料、SiCO或SiCOH。

11.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材料为低介电常数材料、无定形硅、无定形碳、氧化硅、SiN、SiON、SiCN、SiC、BN、SiCO、SiCOH、BN或TiN。

12.根据权利要求1所述的双重图形结构的形成方法，其特征在于，在所述待牺牲层表面形成硬掩膜层之后，在所述硬掩膜层表面形成应力层。

13.一种双重图形结构，其特征在于，包括：

待刻蚀层；

位于待刻蚀层上的若干分立的应力层；

位于应力层的两端表面上的分立的侧墙。

14.根据权利要求13所述的双重图形，其特征在于，所述应力层为单层结构或双层结构。

15.根据权利要求13所述的双重图形结构，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅、碳化硅或正硅酸乙酯。

16.根据权利要求13所述的双重图形结构，其特征在于，所述应力层的厚度为

17.根据权利要求14所述的双重图形结构，其特征在于，所述单层结构的应力层具有压应力或张应力。

18.根据权利要求14所述的双重图形结构，其特征在于，所述应力层的应力大小为50MPa～1000MPa。

19.根据权利要求14所述的双重图形结构，其特征在于，所述双层结构的应力层包括位于所述待刻蚀层上的张应力层和位于所述张应力层表面的压应力层。

20.根据权利要求13所述的双重图形结构，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅中的一种或多种。