[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有鳍和位于鳍上的掩膜层，所述鳍具有相对的第一侧面、第二侧面以及相对的第三侧面、第四侧面，其中，所述鳍的宽度不大于10 nm；

在所述第一侧面和第二侧面上分别形成第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层和第二栅介质层相互分开；

在所述衬底上形成分别与第一栅介质层和第二栅介质层相接的第一栅极和第二栅极，进行平坦化直至暴露所述鳍上的掩膜层，使得第一栅极与第二栅极相互分开；以及

在所述衬底上形成分别与第三侧面、第四侧面相接的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的掺杂类型；

其中，形成第一掺杂区和第二掺杂区包括：

形成第四掩膜层，并在第四掩膜层的侧壁形成第五掩膜层，第四掩膜层横跨第二掺杂区及其两侧的第一栅极和第二栅极，第五掩膜层横跨沟道区及其两侧的第一栅极和第二栅极；

在第四掩膜层和第五掩膜层的掩蔽下，去除第一栅极、第一栅介质层、第二栅极以及第二栅介质层，并暴露鳍条；

在暴露的第一栅极和第二栅极的侧壁以及暴露的鳍条上形成第一侧墙；

在暴露的鳍条部分形成第一掺杂区；

覆盖第一掺杂区形成第一层间介质层；

在第五掩膜层、第一侧墙和第一层间介质层的掩蔽下，去除第四掩膜层及其下的第一栅极、第一栅介质层、第二栅极以及第二栅介质层，并暴露鳍条；

在暴露的第一栅极和第二栅极的侧壁以及暴露的鳍条上形成第二侧墙；

在暴露的鳍条部分形成第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述鳍及第一栅介质层和第二栅介质层的形成方法具体包括：

提供SOI衬底；

在所述SOI衬底上形成图案化的第一掩膜层；

在第一掩膜层的侧壁形成第二掩膜层；

以第一掩膜层和第二掩膜层为掩蔽，图案化SOI衬底的顶层硅；

在图案化后的顶层硅的侧壁形成第一栅介质层；

去除第一掩膜层及其下的顶层硅，以形成鳍；

在所述鳍暴露的侧壁上形成第二栅介质层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成第一栅介质层与形成鳍的步骤之间，还包括步骤：进行填充以形成第一伪栅极；

在形成第二栅介质层之后，还包括步骤：进行填充以形成第二伪栅极；

在形成第一掺杂区和第二掺杂区之后，还包括步骤：去除所述第一伪栅极和第二伪栅极，重新形成第一栅极和第二栅极。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成第一栅极、第二栅极与形成第一掺杂区、第二掺杂区之间，还包括步骤：

在鳍的第三侧面和第四侧面所在端部之上分别形成第一侧墙和第二侧墙，以使第一栅极、第二栅极的两端不覆盖鳍。