[发明专利]一种半导体器件的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括步骤：

1）提供一封装支架，将半导体器件固定于所述封装支架中，并实现所述半导体器件与封装支架之间的电结构连接；

2）形成覆盖于所述半导体器件的封装胶；

3）采用原子层沉积技术至少于所述封装胶表面形成氧化物薄膜结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：步骤1）中，实现所述半导体器件与封装支架之间的电结构连接的方式为金属线连接或用于实现倒装结构的焊盘连接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：步骤3）中，同时于所述封装支架表面形成氧化物薄膜结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：步骤2）之前还包括步骤：采用原子层沉积技术形成覆盖于所述半导体器件表面的第一氧化物薄膜结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：所述氧化物薄膜结构为氧化铝、氧化硅、或氧化钛的一种形成的单层膜结构或两种以上形成的多层复合膜结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：所述氧化物薄膜结构的厚度为5nm～100nm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：所述氧化物薄膜结构的沉积反应温度为15℃～150℃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：所述半导体器件为发光二极

管、光电探测器、及激光二极管中的一种。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：所述封装胶为环氧树脂、硅

胶、混合有荧光粉的环氧树脂、或混合有荧光粉的硅胶。

10.一种半导体器件的封装结构，其特征在于：包括：

封装支架；

半导体器件，固定于所述封装支架中，且所述半导体器件与所述封装支架之间具有电结构连接；

封装胶，覆盖于所述半导体器件；

氧化物薄膜结构，至少结合于所述封装胶表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述电结构连接为金属线连接或用于实现倒装结构的焊盘连接。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述氧化物薄膜结构还结合于所述封装支架表面。

13.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述半导体器件与封装胶之间还结合有第一氧化物薄膜结构。

14.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述氧化物薄膜结构为氧化铝、氧化硅、或氧化钛的一种形成的单层膜结构或两种以上形成的多层复合膜结构。

15.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述氧化物薄膜结构的厚度为5nm～100nm。

16.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述半导体器件为发光二极管、光电探测器、及激光二极管中的一种。

17.根据权利要求10所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述封装胶为环氧树脂、硅胶、混合有荧光粉的环氧树脂、或混合有荧光粉的硅胶。