[发明专利]一种迟滞可控的同步比较器有效
申请号: | 201310314235.3 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103441749A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 袁玉湘;卢慧慧;姜学平;于坤山 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网河南省电力公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 迟滞 可控 同步 比较 | ||
1.一种迟滞可控的同步比较器,包括同步比较器模块和锁存单元;所述同步比较器模块中,第一晶体管M1的栅极接偏置电压Φ,源极接地;第二晶体管M2的栅极接输入端Cp,源极接所述第一晶体管M1的漏极;第三晶体管M3的栅极接输入端Cn,源极接所述第一晶体管M1的漏极;第四晶体管M4的源极和所述第二晶体管M2的漏极相连;第五晶体管M5的源极与所述第三晶体管M3的漏极相连;第六晶体管M6的栅极接接偏置电压Φ,其源极接工作电压VDD,其漏极与所述第四晶体管M4的漏极相连;第七晶体管M7的栅极接接偏置电压Φ,其源极接工作电压VDD,其漏极与所述第五晶体管M5的漏极相连;第八晶体管M8的栅极与所述第五晶体管M5的漏极相连,其源极接工作电压VDD,其漏极与所述第四晶体管M4的漏极和所述第六晶体管M6的漏极相连;第九晶体管M9的栅极与所述第四晶体管M4的漏极相连,其源极接工作电压VDD,其漏极与所述第五晶体管M5的漏极和所述第七晶体管M7的漏极相连;
所述锁存单元中,与非门G1的第一输入口与所述第八晶体管M8的栅极相连,其第二输入口与输出端子Op相连;与非门G2的第一输入口与所述第九晶体管M9的栅极相连,其第二输入口与输出端子On相连;
其特征在于,所述同步比较器包括至少两路的反馈模块,其对称设置在所述同步比较器模块两边,并根据控制要求,增设所述反馈模块的数量,实现迟滞可调的同步比较器。
2.如权利要求1所述的同步比较器,其特征在于,所述反馈模块包括第十晶体管M11、第十一晶体管M31、第十二晶体管M41和与门A1;
所述第十晶体管M11的源极与所述第二晶体管M2的源极相连;
所述第十一晶体管M31的栅极与所述第二晶体管M2的栅极相连,其源极与所述第十晶体管M11的漏极相连,其漏极与所述第四晶体管M4的源极相连;
所述第十二晶体管M41的栅极接接偏置电压Φ,其源极接工作电压VDD,其漏极与所述第十一晶体管M31的漏极相连;
所述与门A1的第一输入口与控制信号Hc1相连,其第二输入口与所述输出端子Op相连,其输出口与所述第十晶体管M11的栅极相连。
3.如权利要求2所述的同步比较器,其特征在于,所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第十晶体管M11和第十一晶体管M31均为NMOS晶体管。
4.如权利要求2所述的同步比较器,其特征在于,所述第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9和第十二晶体管M41均为PMOS晶体管。
5.如权利要求1-4所述的同步比较器,其特征在于,反馈模块中,所述与门A1作为反馈开关,由所述第十晶体管M11和第十二晶体管M41提供偏置电平,第十一晶体管M31控制迟滞阈值。
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