[发明专利]主动式天线裝置

权利要求书

1.一种主动式天线模块，其特征在于，其包含：

回路天线；

射频晶体管，具有一控制埠、一第一埠及一第二端口，所述回路天线的两端点分别电性连接至所述控制埠以及所述第二埠之一，且所述控制埠与所述第二埠为反相；

第一旁路电容，所述第二埠经由所述第一旁路电容电性连接至所述第一埠；

电感-电阻串行电路，所述第一埠经由所述电感-电阻串行电路电性连接至一接地端，以及

第二旁路电容，与所述电感-电阻串行电路的一电阻并联。

2.如权利要求1所述的主动式天线模块，其特征在于：所述射频晶体管为一双极性接面晶体管。

3.如权利要求2所述的主动式天线模块，其特征在于：所述控制埠为基极，所述第一埠为发射极，且所述第二埠为集电极。

4.如权利要求1所述的主动式天线模块，其特征在于：所述射频晶体管为一场效应晶体管，且所述场效应晶体管包含一假型高速电子迁移率晶体管(P-Hemt)。

5.如权利要求4所述的主动式天线模块，其特征在于：所述控制埠为栅极，所述第一埠为源极，且所述第二埠为漏极。

6.如权利要求1所述的主动式天线模块，其特征在于：所述第一埠为降频埠，用以输出解调信号。

7.如权利要求1所述的主动式天线模块，其特征在于：所述第一旁路电容的两端分别电性连接所述第二埠以及所述第一埠。

8.如权利要求1所述的主动式天线模块，其特征在于：所述第二旁路电容的两端分别电性连接至所述电感-电阻串行电路的所述电阻和所述接地端。

9.一种主动式天线模块，其特征在于，其包含：

基板，包含彼此相对的一第一表面以及一第二表面；

第一微带天线金属，设置于所述基板的第一表面之上；

第二微带天线金属，设置于所述基板的第一表面之上；

第三微带天线金属，设置于所述基板的第一表面之上；

第一耦合金属片，设置于所述基板的第二表面之上；

第二耦合金属片，设置于所述第二表面之上；

第三耦合金属片，设置于所述第二表面之上；以及

射频晶体管，设置于所述第一表面，具有控制埠、第一埠以及第二埠，所述控制埠连接至所述第三微带金属，且所述第一埠以及所述第二埠分别连接至所述第一耦合金属片以及所述第一微带金属；

其中，所述第一微带天线金属的第一部分以及所述第一耦合金属片构成一等效旁路电容，所述第一微带天线金属的第二部分、与所述第一微带天线金属的所述第一部分相邻的所述第二微带天线金属的第一部分以及所述第二耦合金属片构成一第一等效耦合电容，所述第二微带天线金属的第二部分、与所述第二微带天线金属的所述第二部分相邻的部分的所述第三微带天线金属以及所述第三耦合金属片构成一第二等效耦合电容。

10.如权利要求9所述的主动式天线模块，其特征在于：所述第一微带天线金属、所述第二微带天线金属、所述第三微带天线金属、所述第一耦合金属片、所述第二耦合金属片以及所述第三耦合金属片构成一回路天线。

11.如权利要求9所述的主动式天线模块，其特征在于：所述射频晶体管为一双极性接面晶体管。

12.如权利要求11所述的主动式天线模块，其特征在于：所述控制埠为基极，所述第一埠为发射极，且所述第二埠为集电极。

13.如权利要求8所述的主动式天线模块，其特征在于：所述射频晶体管为场效应晶体管，且所述场效应晶体管包含一假型高速电子迁移率晶体管(P-Hemt)。

14.如权利要求13所述的主动式天线模块，其特征在于：所述控制埠为栅极，所述第一埠为源极，且所述第二埠为漏极。

15.如权利要求9所述的主动式天线模块，其特征在于：所述主动式天线模块另包含一变容二极管，设置于所述第一表面上，所述变容二极管两端分别连接所述第一微带天线金属和所述第二微带天线金属。