[发明专利]单级电路结构的电子镇流器

权利要求书

1.单级电路结构的电子镇流器，由交流输入电压检测相位检测U3、电流检测U2、由4个二极管构成的整流桥D1、由4个半导体开关S1/S2/S3/S4构成的半导体全桥电路FB、片上系统SoC集成电路U1以及电感L1组成，其特征是半导体全桥电路FB直接连接到其前面的整流桥D1，该半导体全桥电路FB将整流桥D1输出的单向正弦波直流电直接转换成和交流输入电源同频、同相的、降压的准正弦交流电输出到气体放电灯Lamp，并点亮该灯。

2.如权利要求1所述的单级电路结构的电子镇流器，其特征是从整流桥D1输出到气体放电灯Lamp，中间只有一级电路。

3.如权利要求2所述的一级电路，其特征是由半导体开关S1、半导体开关S2、半导体开关S3、半导体开关S4等4个半导体开关组成的半导体全桥电路FB，4个半导体开关的控制时序由片上系统SoC集成电路U1来控制。

4.如权利要求3所述的半导体全桥电路FB，其特征是，当片上系统SoC集成电路U1的端口7判断输入交流电为正半周时，则固定左侧桥臂或右侧桥臂其中一侧桥臂的半导体开关状态不动，与此同时高速通、断另一侧桥臂；当片上系统SoC集成电路U1的端口7判断输入交流电为负半周时，则调整开关规则按相反次序。

5.如权利要求4所述的左侧桥臂和右侧桥臂上的半导体开关，其特征是，左侧桥臂和右侧桥臂中上下两个半导体开关的状态一定是相反的，左侧桥臂上面的半导体开关S1或右侧桥臂上面的半导体开关S2开通时，左侧桥臂下面的半导体开关S3或右侧桥臂下面的半导体开关S4一定是关断状态，反之则反。

6.如权利要求1所述的单级电路结构的电子镇流器，其特征是具备有源功率因数补偿APFC功能。

7.如权利要求1所述的单级电路结构的电子镇流器，与现有二级、三级镇流电路相比，其特征是本发明的整流桥后不需要大容量滤波电容C1，整流桥D1输出的是单向、有正弦波浪的直流电，不需将其滤波成平坦直流电，而是将这个单向、以正弦波浪起伏的直流电直接转化成与输入交流电同频、同相、降压的准正弦的交流电，并直接输出到气体放电灯Lamp。

8.如权利要求1所述的单级电路结构的电子镇流器，其特征是，有交流电输入电压检测、相位检测和灯电流检测等功能，通过特别设计的片上系统SoC集成电路U1来计算处理、控制半导体开关的占空比，并结合电感特性调节灯电流来实现灯的恒电流或者灯的恒功率等功能。

9.如权利要求1所述的单级电路结构的电子镇流器，其特征是，通过特别设计的内置半导体片上系统SoC集成电路U1可以检测灯的电流和交流输入电压，通过计算和逻辑判断来实现过压、过流的保护功能。