[发明专利]多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构有效
| 申请号： | 201310312907.7 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103515682A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 戴新峰;周明 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01P5/00 | 分类号： | H01P5/00;H01P5/08 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王华 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 阶梯 式基片 集成 波导 实现 微带 垂直 过渡 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构，其特征在于：包括阶梯式集成波导结构和矩形波导，所述阶梯式集成波导结构包括从上至下依次层叠的多层基片，每层基片设有阵列的金属化通孔，该金属化通孔围成的区域的上下表面经过刻蚀形成相应的耦合口径，耦合口径周围的金属化通孔的垂直贯通连接形成阶梯式的电磁耦合结构，同时最上层基片的上表面设置微带结构，最下层的下表面设置金属地面，该金属地面腐蚀有用于连接矩形波导的连接口径，从而形成阶梯式波导结构；所述矩形波导通过金属地面上的连接口径与阶梯式集成波导结构垂直连接。
2.根据权利要求1所述多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构，其特征在于：所述阶梯式集成波导结构包括三层基片。
3.根据权利要求1所述多层阶梯式基片集成波导实现微带至波导的垂直过渡结构，其特征在于：所述整个电磁耦合结构为阶梯状。
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