[发明专利]二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构，具体是一种二极管封装结构。

背景技术

现有的二极管封装结构中，主要包括基底、管芯组件、封装体及引线，在功率要求高的二极管封装结构中，由于二极管外形尺寸固定不变，管芯组件需要采用多层管芯烧制而成，所以研发过程中不仅要考虑管芯的散热问题，而且还要考虑管芯组件中电极片的连接问题，由于基底与封装体形成的空间很小，所以电极片与电极通过引线连接会存在一定难度，而且在使用过程中由于引线晃动容易导致生产出的二极管产品质量差。

发明内容

针对上述现有技术中的不足之处，本发明旨在提供一种散热性能更好、加工更加方便的二极管封装结构。

为解决上述技术问题，本发明的二极管封装结构，其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述基底上端面还设置有键合块，所述管芯组件与键合块通过引线连接，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件及键合块均设置于该腔室内。

具体的，所述管芯组件上端面与键合块上端面处于同一平面。

所述管芯组件包括数个电极片，相邻电极片之间设置有管芯。

所述电极片的数量为四个。

所述数个电极包括设置于基底下端面的第一电极及第二电极，第一电极通过第一导线与管芯组件连接，第二电极通过第二导线与键合块连接。

所述键合块采用铁镍钴合金或无氧铜制作而成。

所述封装体采用铁镍钴合金制作而成。

所述基底为氧化铝陶瓷，氧化铝含量为92%以上。

所述引线采用含铝量为99.99%以上的铝丝或含铝量为99%的硅铝丝。

本发明的二极管封装结构，由于在基底上端面设置有键合块，管芯组件与键合块通过引线连接，有效解决了管芯组件与电极的键合问题，通过设置键合块，不仅方便了管芯组件与键合块连接，降低生产工艺难度，提高了生产效率，而且连接管芯组件与键合块的引线不易晃动，不易断裂，使得生产出的产品质量更好，此外，本发明还具有密封性能好、散热性能强等优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明二极管封装结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明的二极管封装结构，其可以包括基底1、设置于基底1上端面的封装体2及设置于基底1下端面的数个电极，所述基底1上端具有凹槽11，该凹槽11内设置有管芯组件3，所述基底1上端面还设置有键合块4，所述管芯组件3与键合块4通过引线5连接，所述封装体2与基底1形成一腔室，所述管芯组件3及键合块4均设置于该腔室内。键合块4采用铁镍钴合金或无氧铜制作而成，所述封装体2采用铁镍钴合金制作而成，所述基底1为氧化铝陶瓷，氧化铝含量为92%以上，所述引线5采用含铝量为99.99%以上的铝丝或含铝量为99%的硅铝丝，本发明由于在基底1上端面设置有键合块4，管芯组件3与键合块4通过引线5连接，有效解决了管芯组件3与电极的键合问题，通过设置键合块4，不仅方便了管芯组件3与键合块4连接，降低生产工艺难度，提高了生产效率，而且连接管芯组件3与键合块4的引线5不易晃动，不易断裂，使得生产出的产品质量更好。

具体的，所述管芯组件3上端面与键合块4上端面处于同一平面。这样使得连接管芯组件3与键合块4的引线5更短，更不易晃动，产品质量更好，也可以根据具体实际情况，适当调整键合块4的高度，使键合块4略高于或者略低于管芯组件3上端面所在平面。

所述管芯组件3包括数个电极片31，相邻电极片之间设置有管芯32。所述电极片31的数量为四个。由于在管芯32在工作时会产生大量的热量，所以电极片31可以更好地散热，使得产品不易损坏。

所述数个电极包括设置于基底1下端面的第一电极6及第二电极7，第一电极6通过第一导线8与管芯组件3连接，第二电极7通过第二导线9与键合块4连接。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。