[发明专利]一种等离子体去除光刻胶的方法

权利要求书

1.一种等离子体去除光刻胶的方法，所述方法在一反应腔内进行，所述光刻胶位于基片的表面，所述光刻胶下方为目标刻蚀层，其特征在于，所述方法包括下列步骤：向所述反应腔内提供含氧的反应气体，对所述反应腔施加一小于等于5兆赫兹的低射频功率，所述含氧的反应气体在低射频功率的作用下激发等离子体放电，产生高活性离子，所述高活性离子对光刻胶进行刻蚀去除反应，所述目标刻蚀层为低介电常数的绝缘材料，所述绝缘材料的介电常数小于3F/m，所述反应腔内气压为200MT-2T。

2.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体中的氧化性气体分子在高活性离子的作用下对光刻胶进行刻蚀去除反应。

3.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应腔内气压为500MT-2T。

4.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体包括O₂，O₃，NO₂，SO₂，CO₂中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体还包括COS和CO中的一种或两种。

6.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体还包括Ar和Xe中的一种或两种。

7.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体的流量范围为200sccm-5000sccm。

8.根据权利要求1所述的等离子体去除光刻胶的方法，其特征在于：所述反应气体的流量范围为1500sccm-5000sccm。