[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD（Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）包括彩膜基板、阵列基板和位于所述彩膜基板与阵列基板之间的液晶层，所述阵列基板包括透明基板、以及位于所述透明基板内侧的多个相互平行的栅线和与所述栅线垂直交叉且电性绝缘的多个数据线，其中，两相邻栅线和两相邻数据线围成一个像素单元。

每个像素单元包括像素电极、存储电容C_s、液晶电容C_lc和作为开关器件的TFT（薄膜晶体管），C_s和C_lc并行连接于像素电极，且所述像素电极与TFT连接。如图1所示，像素单元的TFT10包括源极11、栅极12和漏极13，所述源极10通过通孔50电连接于像素电极20，所述栅极12与栅线30连接，所述漏极13与数据线40连接，所述栅线30和栅极12位于第一金属层，数据线40、漏极13和源极11位于第二金属层，且所述源极11与所述栅极12交叠。由于所述源极与所述栅极交叠，因而形成寄生电容C_gs，其中C_gs的大小和所述源极与栅极的交叠面积有关。

针对一个像素单元，在与所述像素单元的TFT的栅极连接的栅线上施加有开启电压时，所述TFT处于导通状态，与所述TFT的漏极连接的数据线上的数据电压施加到像素电极上，对与并行连接于所述像素电极的C_s和C_lc进行充电。在与所述TFT的栅极连接的栅线上施加有关闭电压以使该TFT处于关闭状态时，施加到像素电极上的电压会由于寄生电容C_gs的存在而发生跳变，且所述像素电极上的电压跳变量其中，ΔVg为栅极上施加的开启电压与关闭电压之差。

在实际应用中，由于工艺上的不稳定性，第一金属层与第二金属层之间会产生错位的情况，从而会导致像素单元的源极与栅极的交叠面积发生变化。若相邻像素单元的第一金属层与第二金属层之间的错位量不同时，则会造成相邻像素单元的源极与栅极的交叠面积的变化量不同，从而使得相邻像素单元的寄生电容C_gs的变化量不同，使得相邻像素单元的寄生电容C_gs在第一金属层与第二金属层之间产生错位后不同（所述相邻像素单元的寄生电容C_gs在第一金属层与第二金属层之间产生错位前是相同的），而在相邻像素单元的寄生电容C_gs不同时，相邻像素单元的像素电极上的电压跳变量不同，使得相邻像素的灰度不均匀，从而引起画面品质不良，比如，出现Flicker（画面闪烁）和Mura（画面灰度不均匀）等。

综上所述，目前的TFT-LCD在相邻像素单元的第一金属层与第二金属层之间的错位量不同时会存在画面品质不良的问题。

发明内容

本发明实施例提供的一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT-LCD在相邻像素单元的第一金属层与第二金属层之间的错位量不同时会存在画面品质不良的问题。

根据本发明实施例的第一个方面，提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT，所述TFT包括源极、栅极和漏极，所述栅极位于第一金属层，所述源极和漏极位于第二金属层；

所述源极和栅极的形状满足：在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述源极和栅极的交叠面积恒定不变。

在本发明实施例中，针对阵列基板，在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，像素单元的源极和栅极的交叠面积恒定不变，因而每个像素单元的源极和栅极的交叠面积的变化量均相同（变化量为0），从而保证在第一金属层与第二金属层之间产生错位后，相邻像素单元的源极和栅极的交叠面积仍然相同，使得相邻像素单元的寄生电容C_gs相同，进而实现在一定程度上保证相邻像素的灰度均匀，避免或减少画面品质不良问题的发生。

较佳地，所述源极包括与栅极的交叠区域、以及在水平方向上分别位于所述栅极两侧的第一部分区域和第二部分区域；

在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，所述第一部分区域的增/减底面积与所述第二部分区域的减/增底面积相等。

在本发明实施例中，通过改进TFT包括的源极，实现在所述第一金属层与第二金属层之间产生错位的情况下，保证所述源极和栅极的交叠面积恒定不变。