[发明专利]基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路无效
| 申请号： | 201310311045.6 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367638A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 温殿忠;李蕾 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张利明 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 结构 开关 忆阻器 非易失 存储器 单元 电路 | ||
1.基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，它包括MOS晶体管（2），其特征在于，它还包括纳米结构开关忆阻器（1）；所述的MOS晶体管（2）的漏极与纳米结构开关忆阻器（1）的一端串联连接，
所述的纳米结构开关忆阻器（1）由上电极（1-1）、三层纳米膜和下电极（1-5）组成；所述的三层纳米膜由N型半导体层（1-2）、中性半导体层（1-3）和P型半导体层（1-4）依次叠加组成；所述的N型半导体层（1-2）与上电极（1-1）电气连接，所述的P型半导体层（1-4）与下电极（1-5）电气连接，
所述的N型半导体层（1-2）的厚度为A纳米，所述的中性半导体层（1-3）的厚度为B纳米，所述的P型半导体层（1-4）的厚度为C纳米，所述的A的范围为从5到50，B的范围为从50到100，C的范围为从5到50，所述的纳米结构开关忆阻器（1）的一端为纳米结构开关忆阻器（1）的上电极（1-1），所述的上电极（1-1）和下电极（1-5）均为铂纳米线电极。
2.根据权利要求1所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的N型半导体层（1-2）与上电极（1-1）的电气连接、以及P型半导体层（1-4）与下电极（1-5）的电气连接均采用纳米金属线实现。
3.根据权利要求2所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的纳米金属线为Pt纳米线。
4.根据权利要求1所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的N型半导体层（1-2）为TiO2-x缺氧半导体纳米膜。
5.根据权利要求4所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的中性半导体层（1-3）为TiO2半导体纳米膜。
6.根据权利要求5所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的P型半导体层（1-4）为TiO2+x富氧半导体纳米膜。
7.根据权利要求1所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的A的范围为从5到30，所述的B的范围为从60到100，C的范围为从5到30。
8.根据权利要求7所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的A为20，B为100，C为20。
9.根据权利要求1所述的基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，其特征在于，所述的纳米结构开关忆阻器（1）的工作电压小于或等于3V、存储密度大于或等于12GB/cm2、擦/写时间小于250ns、读取时间小于50ns。
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