[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一半导体衬底；

一栅结构，具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边，并配置在该半导体衬底上；

一第一掺杂接触区，具有一第一导电型，并形成于该栅结构的该第一栅侧边上的该半导体衬底中；

一第二掺杂接触区，具有该第一导电型，并形成于该栅结构的该第二栅侧边上的该半导体衬底中；以及

一第三掺杂接触区，被该第一掺杂接触区与该第二掺杂接触区至少一个包围，该第三掺杂接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第三掺杂接触区包括多个该第三掺杂接触区，这些第三掺杂接触区是通过该第一掺杂接触区或该第二掺杂接触区互相分开。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

该第三掺杂接触区包括多个该第三掺杂接触区，

这些第三掺杂接触区的一部分是被该第一掺杂接触区包围；

这些第三掺杂接触区的另一部分是被该第二掺杂接触区包围。

4.一种半导体装置，包括：

一半导体衬底；

一栅结构，具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边，并配置在该半导体衬底上；

一第一掺杂接触区，具有一第一导电型，并形成于该栅结构的该第一栅侧边上的该半导体衬底中；

一第二掺杂接触区，具有该第一导电型，并形成于该栅结构的该第二栅侧边上的该半导体衬底中；以及

一阱掺杂区，具有该第一导电型，并位于该第一掺杂接触区下。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，更包括一第三掺杂接触区，被该第一掺杂接触区与该第二掺杂接触区至少一个包围，该第三掺杂接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，更包括一第一阱区与一第二阱区，之间具有一PN结，该第一掺杂接触区是形成于该第一阱区中，该第二掺杂接触区是形成于该第二阱区中。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中该半导体装置是一延伸漏极金属氧化物半导体晶体管(Extended Drain MOSFET；EDMOS。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中该半导体装置是用作静电放电防护装置。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

于一半导体衬底上形成一栅结构，该栅结构具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边；

于该栅结构的该第一栅侧边上的该半导体衬底中形成一第一掺杂接触区，该第一掺杂接触区具有一第一导电型；

于该栅结构的该第二栅侧边上的该半导体衬底中形成一第二掺杂接触区，该第二掺杂接触区具有该第一导电型；以及

形成一第三掺杂接触区，其被该第一掺杂接触区与该第二掺杂接触区至少一个包围，该第三掺杂接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

于一半导体衬底上形成一栅结构，该栅结构具有相对的一第一栅侧边与一第二栅侧边；

于该栅结构的该第一栅侧边上的该半导体衬底中形成一第一掺杂接触区，该第一掺杂接触区具有一第一导电型；

于该栅结构的该第二栅侧边上的该半导体衬底中形成一第二掺杂接触区，该第二掺杂接触区具有该第一导电型；以及

形成一阱掺杂区，其具有该第一导电型，并位于该第一掺杂接触区下。