[发明专利]宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器有效

申请号：	201310310884.6	申请日：	2013-07-23
公开（公告）号：	CN103383977A	公开（公告）日：	2013-11-06
发明（设计）人：	张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;黎大兵;孙晓娟;陈一仁;李志明	申请（专利权）人：	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号：	H01L31/105	分类号：	H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/0352
代理公司：	长春菁华专利商标代理事务所 22210	代理人：	王丹阳
地址：	130033 吉***	国省代码：	吉林;22
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摘要：
搜索关键词：	探测波段 ingaas gaas 红外探测器
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【权利要求书】：

1.宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，包括依次生长在GaAs衬底(1)上的缓冲层(2)、吸收层(3)和盖层(4)，其特征在于，所述缓冲层(2)为掺Si的InAsP，厚度为0.5-1.5μm，所述吸收层(3)为低掺杂Si的In_0.82Ga_0.18As，厚度为2.5-3.5μm，所述盖层(4)为掺Be的InAlAs，厚度为0.5-1.5μm。

2.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述GaAs衬底(1)为高掺杂n型GaAs单晶衬底。

3.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述InAsP为InAs_0.60P_0.40。

4.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述InAlAs的In组分与In_0.82Ga_0.18As的In组分相同。

5.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述缓冲层(2)Si的掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层(3)Si的掺杂浓度为8×10¹⁶cm^-3。

7.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述盖层(4)Be的掺杂浓度为8×10¹⁷cm^-3。

8.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述缓冲层(2)、吸收层(3)和盖层(4)均采用金属有机物化学气相沉积技术生长。

9.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述缓冲层(2)采用两步法生长制备，两步生长温度分别为450℃和580℃。

10.根据权利要求1所述的宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器，其特征在于，所述吸收层(3)的生长温度为550℃。

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