[发明专利]石墨烯透明导电膜在审
| 申请号： | 201310309784.1 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183301A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 吴以舜;谢承佑;彭晟书 | 申请（专利权）人： | 安炬科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 中国台湾宜*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 透明 导电 | ||
1.一种石墨烯透明导电膜，其特征在于，包含：
多个石墨烯片，呈片状，厚度为3nm～10nm，且平面横向尺寸为1um～5um；以及
一透明导电黏结剂，将所述石墨烯片黏结，
其中该石墨烯透明导电膜的厚度小于20nm，所述石墨烯片与该透明导电黏结剂的重量比为1wt％至0.01wt％之间，该透明导电黏结剂占该石墨烯透明导电膜的体积百分比为0.5％～10％。
2.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该透明导电黏结剂为一透明导电高分子，包含一聚噻吩结构以及聚阳离子高分子结构的至少其中之一。
3.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该透明导电黏结剂包含聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚苯胺、聚吡咯的至少其中之一。
4.如权利要求2所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该聚噻吩结构的化学式为：
A为碳数为1-4的烷基自由基，或可取代1-4个碳的烷基自由基。
5.如权利要求2所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该聚阳离子高分子结构的化学式为：
R1、R2、R3、R4为C1-C4的烷基，R5、R6为饱和或非饱合的亚烷基、芳香亚烷基或亚二甲苯基。
6.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该石墨烯透明导电膜于可见光下的穿透度大于80％。
7.如权利要求1所述的石墨烯透明导电膜，其特征在于，该石墨烯透明导电膜的片电阻小于500ohm/sq。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安炬科技股份有限公司;，未经安炬科技股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310309784.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
