[发明专利]双向可控硅的触发电路及具有其的负载控制电路和风扇有效

专利信息
申请号: 201310309717.X 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN104333363B 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 戴修敏 申请(专利权)人: 广东美的环境电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号: H03K17/72 分类号: H03K17/72
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 张大威
地址: 528400 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双向 可控硅 触发 电路 具有 负载 控制电路 风扇
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种双向可控硅的触发电路以及具有双向可控硅的触发电路的负载控制电路和一种设置负载控制电路的风扇。

背景技术

目前,许多采用双向可控硅的家电产品的控制电路仍然采用阻容降压方式供电,触发电路为保证双向可控硅不工作在第四象限,所以必须让双向可控硅的A1极和A2极中有一极直接连接市电,如图1所示,这就限制触发电路的电源必须来自市电的半波整流,造成触发电路的电源有50%的浪费,电源电路成本高。

参照图1,电阻R4’、电容MC2’和电阻R5’组成阻容降压电路,ACL相对于ACN为正时,电流直接由ACL通过稳压二极管ZD1’流回ACN,不能为控制电路等低压电路供电,电能白白浪费掉。ACL相对于ACN为负时,电流经稳压二极管ZD1’稳压,保证电解电容EC1’的电压为5V左右,为低压电路供电。并且,图1中的控制电路输出低电平时,双向可控硅导通负载,控制电路输出高电平时,双向可控硅截止,关闭负载。

因此,在本技术方案中,阻容降压电路提供的电能只有50%有效,等同于降压电容容量增大了50%,成本升高,而且电容容量增加,电路的可靠性也随之降低。

现有技术中,另外有一种方案仍是阻容降压方式降压,再经全波整流供电,为让双向可控硅不工作在第四象限,而加上光耦进行隔离,如图2所示。或不用双向可控硅直接采用继电器,这种方案成本更高。

参照图2,电阻R4’、电容MC2’和电阻R5’组成阻容降压电路,经桥式全波整流、稳压二极管ZD1’稳压,保证电解电容EC1’的电压为5V左右,为低压电路供电。并且,图2中的控制电路点亮光耦中的发光二极管时,双向可控硅导通负载,控制电路熄灭光耦中的发光二极管时,双向可控硅截止,关闭负载。该技术方案中因设有光耦,设计复杂、成本高昂。

发明内容

发明人基于现有技术研究得出:现有技术不能采用全波整流电路的关键在于,如果采用全波整流电路,双向可控硅的A1脚电压相对于控制电路的0V电压,将是频率为交流电源频率、电压为0V和5V交变的方波,而控制电路只能输出5V或0V,这样双向可控硅的G脚电压有一半的时间电压与A1脚相同,没有电压差,双向可控硅不能完全导通,因此阻容降压电路提供的电能只有50%有效,等同于降压电容容量增大了50%,不仅成本升高,而且电容容量增加,电路的可靠性也随之降低,还造成电能浪费。

本发明的目的旨在至少解决上述的技术缺陷之一。

为此,本发明的目的在于提出一种双向可控硅的触发电路,使得双向可控硅的A1脚电压不管是0V、5V,还是0V和5V交变的电压,均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。

为达到上述目的,本发明的一方面实施例提出的一种双向可控硅的触发电路,包括:第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端相连,所述第一电阻和所述第二电阻之间具有第一节点,所述第一节点与双向可控硅的门极相连,所述双向可控硅的第一极通过负载与输入的交流电的第一极相连,所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连;控制模块,所述控制模块的第一输出端与所述第一电阻的另一端相连,所述控制模块的第二输出端和所述第二电阻的另一端相连,所述控制模块通过所述第一输出端和所述第二输出端输出具有电压差的输出信号以触发所述双向可控硅导通。

根据本发明实施例的双向可控硅的触发电路,电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下,可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅,而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍,使得电源方案应用范围更广,避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下,可以允许降压电容容量降低50%,这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

其中,所述控制模块还通过所述第一输出端和所述第二输出端输出高阻信号以控制所述双向可控硅截止。

优选地,在本发明的一个实施例中,所述的双向可控硅的触发电路,还包括:第三电阻,所述第三电阻的一端与所述双向可控硅的门极相连,所述第三电阻的另一端与所述第一节点相连。其中,所述第三电阻的阻值为0-1000欧姆。

并且,所述的双向可控硅的触发电路,还包括第一电容,所述第一电容连接在所述双向可控硅的门极和第二极之间。

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