[发明专利]一种碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料的增密方法有效
| 申请号： | 201310309108.4 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103724035A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;余盛杰 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳纤维 增强 氮化 碳化硅 陶瓷 复合材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷基复合材料的增密方法，其特征在于，在CVI增密到70～85％的C/SiC陶瓷基复合材料表面涂刷硅粉，烘干后氮化，氮化完成后再通过CVD给CMC制备SiC涂层，完成CMC的制备。
2.根据权利要求1所述的碳纤维增强的氮化硅-碳化硅陶瓷基复合材料的增密方法，其特征在于，包括以下顺序的制备步骤：
①通过CVI或是PIP来制备C/SiC陶瓷基复合材料；
②对C/SiC陶瓷基复合材料继续进行CVI碳化硅，由于纤维束间交叉空隙大，将CVI时间延长时间为20～30小时；
③当CVI碳化硅增密到70～85％时，在C/SiC表面涂刷硅粉，尤其是在大孔处填充，然后烘干；
④进行氮化处理，氮化工艺为1100～1300℃初步氮化，1350-1450℃二次氮化获得，与纯氮化硅陶瓷粉体烧结具有烧结温度低的优点；
⑤氮化完成以后，再通过CVD给CMC表面制备SiC涂层，CVD时间为20～30小时，便完成了碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷基复合材料的增密。
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