[发明专利]微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体

说明书

技术领域

本发明涉及一种微电子机械系统装置、电子模块、电子设备以及移动体。

背景技术

一直以来，已知一种对角速度等进行检测的MEMS（Micro Electro Mechanical System:微电子机械系统）装置，所述MEMS装置使用MEMS技术而在底基板上形成MEMS元件，并且将与MEMS元件相连接的配线形成在底基板上。

作为这种MEMS装置的制造方法，例如通过阳极接合而将成为半导体元件的材料的硅基板接合于由玻璃等形成的底基板上。而且，通过如下方式而获得MEMS装置，即，以保留硅基板中的形成MEMS装置的结构要素即MEMS元件的区域、以及形成与该MEMS元件相连接的配线的区域的方式，对硅基板进行蚀刻，并对MEMS元件及配线进行模切。

例如，在非专利文献1中，作为底基板而使用SOI（Silicon on Insulator：绝缘体上硅）基板。而且，公开了如下的结构，即，在将MEMS元件配置在SOI基板上的MEMS装置中，将以多晶硅为材料并用于与MEMS元件连接的配线埋入SOI基板中，并使该配线与作为连接目标的MEMS元件连接。在非专利文献1的SOI基板中，在与埋入有配线的位置相比成为下层的位置处具有SiO₂层。

但是，以接近SiO₂的玻璃基板或SiO₂层的方式配置有配线。由于SiO₂的介电常数较高，因此当对配线以接近SiO₂的方式进行配置时，在配线之间容易产生寄生电容（杂散电容）。因此，无论哪种方法，都存在因配线之间的寄生电容而对MEMS元件的电特性造成不良影响的可能性。

非专利文献1：电装技术评论（デンソーテクニカルレビュー）Vol.5No.12000p39－p44

发明内容

本发明是为了解决上述的课题中的至少一部分而被完成的，并且能够作为以下的方式或者应用例而实现。

应用例1

本应用例所涉及的MEMS装置的特征在于，具备：底基板；第一配线，其使用第一结构体并被配置在底基板上；第二配线，其使用第一结构体和与第一结构体相连接的第二结构体并被配置在底基板上；MEMS元件，其上连接有第一配线和第二配线，并被配置在底基板上，并且，所述MEMS装置具备第一配线和第二配线相互交叉的交叉部，在交叉部处，第一配线的第一结构体和第二配线的第二结构体交叉。

根据这种MEMS装置，与MEMS元件相连接的第一配线具有第一结构体，第二配线具有第一结构体和第二结构体，并且分别被设置在底基板上。此外，具备第一配线和第二配线相交叉的交叉部，在交叉部中，第一结构体和第二结构体交叉。

由此，能够以使被设置在底基板上的第一配线和第二配线交叉的方式进行配线，并能够对该底基板的配线所占用的面积进行抑制，从而实现MEMS装置的小型化。

应用例2

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，在底基板上设置有槽部，第一结构体被设置在槽部内。

根据这种MEMS装置，第一结构体被设置在设置于底基板上的槽部内，第二结构体被设置在底基板上。

由此，能够使被设置在底基板上的第二结构体在跨越且不接触的条件下与被设置在槽部内的第一结构体交叉。

因此，能够以具有空隙的方式使第一配线和第二配线交叉，从而能够获得如下的MEMS装置，即，对因第一结构体和第二结构体交叉而产生的寄生电容进行抑制，从而对MEMS元件的电特性造成不良影响的情况较少的MEMS装置。

应用例3

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，交叉部处的槽部与其他的槽部相比较深。

根据这种MEMS装置，在加深了第一配线和第二配线相交叉的交叉部处的、槽的深度的槽部内，设置有第一结构体。

由此，能够增加第一结构体和第二结构体交叉的部分的分开距离，从而能够获得如下的MEMS装置，即，对在第一结构体与第二结构体之间产生的寄生电容进行抑制，从而对MEMS元件的电特性造成不良影响的情况较少的MEMS装置。

应用例4

在上述应用例所涉及的MEMS装置中，优选为，交叉部处的第二结构体的宽度与其他的所述第二结构体的宽度相比较窄。