[发明专利]基于凡士林的微电极阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种微电极阵列，由导电基底和阵列层组成；

所述阵列层位于所述导电基底之上，且部分或全部覆盖所述导电基底的表面；

所述阵列层部分覆盖所述导电基底的表面时，所述阵列层由凡士林组成；

所述阵列层全部覆盖所述导电基底的表面时，所述阵列层由凡士林和导电纳米粒子组成，且所述导电纳米粒子均匀分布在所述凡士林中。

2.根据权利要求1所述的阵列，其特征在于：所述导电基底为碳基电极；

所述碳基电极具体为玻碳电极或金刚石电极；

所述导电纳米粒子选自氧化铟锡、纳米碳球和纳米金属颗粒中的至少一种；

所述导电纳米粒子的粒径为30-80nm，具体为40-60nm。

3.根据权利要求1或2所述的阵列，其特征在于：所述凡士林和导电纳米粒子的质量比为5-15：1-2，具体为8-12：0.7-1.2。

4.一种制作微电极阵列的方法，包括如下步骤：

将溶液a或b均匀涂覆在碳基电极的表面，干燥得到所述微电极阵列；

所述溶液a中，溶质为凡士林，溶剂为乙醚；

所述溶液b中，溶质为凡士林和导电纳米粒子，溶剂为乙醚。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述碳基电极为玻碳电极或金刚石电极；

所述导电纳米粒子选自氧化铟锡、纳米碳球和纳米金属颗粒中的至少一种。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述溶液a的浓度为10-30mg/mL，具体为18-25mg/mL；

所述溶液b中，凡士林和导电纳米粒子的质量比为5-15：1-2，具体为8-12：0.7-1.2。

7.根据权利要求4-6任一所述的方法，其特征在于：所述凡士林在所述溶液b中的浓度为50-100mg/mL，具体为70-90mg/mL。

8.根据权利要求4-7任一所述的方法，其特征在于：所述导电纳米粒子的粒径为30-80nm，具体为40-60nm。

9.根据权利要求4-8任一所述的方法，其特征在于：所述方法中，在将溶液a或b均匀涂覆在碳基电极的表面之前包括如下步骤：

a、将所述碳基电极依次用粒径为1.0μm、0.3μm和0.05μm的氧化铝粉末在抛光布上抛光；

b、将抛光后的碳基电极在二次水中超声清洗；

c、将超声清洗后的碳基电极在0.1mol·L^-1的铁氰化钾溶液中，在-0.4和+0.7V之间进行循环伏安扫描，直到获得典型的循环伏安谱图，即完成所述碳基电极的预处理。