[发明专利]光半导体装置

说明书

 

技术领域

本发明涉及分别利用多条弯曲波导路将多个半导体激光器连接于光耦合器的光半导体装置，特别是涉及可以使分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动（variation）减小的光半导体装置。

背景技术

在利用MMI(Multi-Mode Interference，多模干涉)耦合器将来自多个半导体激光器的输出光耦合之后利用半导体光放大器（semiconductor optical amplifier: SOA）进行放大的光半导体装置中，多个半导体激光器分别利用多条弯曲波导路与光耦合器连接（参考例如专利文献1~3）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2009-109704号公报

专利文献2：日本特开2004-319893号公报

专利文献3：日本专利第4444368号公报。

发明内容

发明要解决的问题

已有的半导体光放大器由于多条弯曲波导路的曲率半径不同，因此损耗的波动大。其结果是，返回多个半导体激光器的返回光量不同，从而存在多个半导体激光器的输出光的线宽有波动的问题。

本发明是为了解决上述存在问题而作出的，其目的在于，得到能够减小分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动的光半导体装置。

解决问题的手段

本发明的光半导体装置的特征在于，具有分离配置的两组半导体激光器、将来自上述两组半导体激光器的输出光耦合的光耦合器、将来自上述光耦合器的输出光加以放大的光放大器、以及将上述两组半导体激光器分别连接于上述光耦合器的多条波导路，上述多条波导路分别具有弯曲波导路，上述多条波导路的上述弯曲波导路的曲率半径全部相同。

发明的效果

利用本发明，能够使分别驱动多个半导体激光器时的输出光的线宽的波动减小。

附图说明

 

图1是表示本发明实施方式1的光半导体装置的俯视图。

图2是将图1的一部分加以放大的俯视图。

图3是表示本发明实施方式1的弯曲波导路的俯视图。

图4是沿图1的I-II的半导体激光器的剖面图。

图5是沿图1的III-IV的MMI耦合器的剖面图。

图6是沿图1的V-VI的SOA的剖面图。

图7是表示本发明实施方式1的光半导体装置的制造工序的剖面图。

图8是表示本发明实施方式1的光半导体装置的制造工序的剖面图。

图9是表示本发明实施方式1的光半导体装置的制造工序的剖面图。

图10是表示本发明实施方式1的光半导体装置的制造工序的剖面图。

图11是表示比较例的光半导体装置的俯视图。

图12是将图11的一部分加以放大的俯视图。

图13是表示本发明实施方式2的光半导体装置的俯视图。

图14是将图13的一部分加以放大的俯视图。

图15是表示本发明实施方式3的光半导体装置的俯视图。

图16是将图15的一部分加以放大的俯视图。

符号说明

1a～1l　  多个半导体激光器（两组半导体激光器）；

2　       MMI耦合器（光耦合器）；

3　       SOA（光放大器）；

4a～4l　  弯曲波导路；

25a～25j　直线波导路。

 

 具体实施方式

下面参考附图对本发明的实施方式的光半导体装置进行说明。对相同或对应的构成要素标注相同的符号，有时省略重复说明。

实施方式1

图1是表示本发明实施方式1的光半导体装置的俯视图。图2是将图1的一部分加以放大的俯视图。多个半导体激光器1a~1l分成两组分离配置。MMI耦合器2将来自多个半导体激光器1a~1l的输出光加以耦合。SOA3将来自MMI耦合器2的输出光放大。多条弯曲波导路4a~4l将多个半导体激光器1a~11分别连接于MMI耦合器2。多条弯曲波导路4a~4l具有相同的1000μm的曲率半径。

图3是表示本发明实施方式1的弯曲波导路的俯视图。多条弯曲波导路4a~41分别由曲率半径同样都是1000μm且曲率中心不同的2条圆弧构成。