[发明专利]一种埋容材料、制备方法及其用途

权利要求书

1.一种埋容材料，其特征在于，所述埋容材料由薄膜层及其上下两侧的金属箔组成，所述薄膜层由含有陶瓷填料和导热填料的树脂组合物形成。

2.如权利要求1所述的埋容材料，其特征在于，所述树脂组合物中的树脂选自环氧树脂、氰酸脂树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、丁苯树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚四氟乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、液晶树脂、苯并恶嗪树脂、酚氧树脂、丁腈橡胶、端羧基丁腈橡胶或端羟基丁腈橡胶中的任意一种或者至少两种的混合物。

3.如权利要求1或2所述的埋容材料，其特征在于，所述陶瓷填料选自二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钙钛酸钡、钛酸锆铅陶瓷或钛酸铅-铌镁酸铅中的任意一种或者至少两种的混合物；

优选地，所述陶瓷填料的粒径中度值为10～1500nm，优选100～800nm，进一步优选200～700nm；

优选地，所述陶瓷填料的体积百分率为15%～50%，优选20%～45%，进一步优选30%～40%。

4.如权利要求1-3之一所述的埋容材料，其特征在于，所述树脂组合物还含有导电粉体，所述导电粉体选自金属、过渡金属合金、碳黑、碳纤维或碳纳米管中的任意一种或者至少两种的混合物，其中过渡金属选自Cu、Ni、Ag、Al、Zn、Co、Fe、Cr或Mn。

5.如权利要求4所述的埋容材料，其特征在于，所述导电粉体表面用陶瓷填料包覆，所述包覆的陶瓷填料选自二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钙钛酸钡、钛酸锆铅陶瓷、钛酸铅-铌镁酸铅中的任意一种或者至少两种的混合物；

优选地，导电粉体的粒径中度值为30～700nm，优选100～500nm；

优选地，所述导电粉体的体积百分率为15%～50%，优选20%～45%，进一步优选30%～40%。

6.如权利要求1-5之一所述的埋容材料，其特征在于，所述导热填料选自氮化铝、氮化硼、氮化硅、氧化铝、氧化镁、氧化铍、碳化硅或碳化硼中的任意一种或者至少两种的混合物；

优选地，所述导热填料的体积百分率为10～50%，优选20～40%；

优选地，所述导热填料的粒径中度值为0.01～1.5μm；

优选地，所述导热填料的表面经过处理。

7.如权利要求1-6之一所述的埋容材料，其特征在于，所述薄膜层的厚度为5～50μm，优选7～30μm，进一步优选8～10μm。

8.如权利要求1-7之一所述的埋容材料，其特征在于，所述金属箔为铜、黄铜、铝、镍、铜合金、黄铜合金、铝合金或镍合金中的任意一种或者至少两种的组合，所述金属箔的厚度为5～150μm。

9.一种如权利要求1-8之一所述的埋容材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）将形成薄膜层的树脂组合物制备成胶液，在离型膜上涂覆上述胶液，经烘干后去掉溶剂，从离型膜上分离下来，得到薄膜层；

（2）将一张上述制成的薄膜层放在两张金属箔中间，然后放进层压机中通过热压固化制得埋容材料。

10.一种如权利要求1-8之一所述的埋容材料的用途，其特征在于，所述埋容材料用于印制电路板。