[发明专利]一种输入供电型振动能量获取接口电路有效
申请号: | 201310307301.4 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN104242696B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 杨正;杨银堂;王静敏;朱樟明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,安利霞 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入 供电 振动 能量 获取 接口 电路 | ||
1.一种输入供电型振动能量获取接口电路,用于建立传感器与负载的连接,其特征在于,包括:整流电路、比较器、POMS二极管、PMOS开关管、储能元件;其中
所述整流电路用于将第一输入信号的负振幅转换为正振幅,生成第二输入信号;所述第一输入信号为所述传感器输出的交流信号;
所述POMS开关管的漏极与所述整流电路的输出端连接,其源极分别与所述储能元件以及负载连接,用于对所述第二输入信号进行电压转换;
所述PMOS二极管的漏极分别与其栅极和所述储能元件连接,其源极与所述整流电路的输出端连接,用于控制所述第二输入信号在所述储能元件中进行电压积累;
所述比较器的第一输入端与所述POMS开关管的漏极连接,其第二输入端与所述POMS开关管的源极连接,其输出端与所述POMS开关管的栅极连接,用于对所述POMS开关管的漏极电压和源极电压进行比较,当所述POMS开关管的漏极电压小于所述POMS开关管的源极电压时,控制所述POMS开关管导通,从而使所述第二输入信号能够通过所述POMS开关管后到达负载。
2.根据权利要求1所述的输入供电型振动能量获取接口电路,其特征在于,
所述比较器的电源接入端与所述整流电路的输出端连接,用于将所述整流电路输出的第二输入信号作为所述比较器的工作电源。
3.根据权利要求2所述的输入供电型振动能量获取接口电路,其特征在于,所述整流电路包括:NMOS晶体管N1、N2、N3、N4,以及PMOS晶体管P1、P2;其中
N1的源极和衬底接地,其栅极接入所述第一输入信号的正端;
N2的源极和衬底接地,其栅极接入所述第一输入信号的负端;
P1的栅极接入所述第一输入信号的负端,其源极接入所述第一输入信号的正端;
P2的栅极接入所述第一输入信号的正端,其源极接入所述第一输入信号的负端;其漏极与P1的漏极连接,作为该整流电路的输出端;
N3的源极分别与P1的衬底以及P2的衬底连接,其漏极和栅极分别与P1的漏极和P2的漏极连接,其衬底接地;
N4的源极和衬底均接地,其漏极与N3的源极连接,其栅极与漏极均与P1的衬底以及P2的衬底连接。
4.根据权利要求3所述的输入供电型振动能量获取接口电路,其特征在于,还包括:PMOS晶体管P3、P4;其中,
P3的栅极分别与所述POMS开关管的源极和所述PMOS二极管的漏极连接,其衬底与其源极连接,其漏极分别于所述POMS开关管的漏极和所述PMOS二极管的源极连接;
P4的栅极分别与所述POMS开关管的漏极和所述PMOS二极管的源极连接,其衬底与其源极连接,其源极与P3的源极连接,其漏极分别与所述POMS开关管的源极和所述PMOS二极管的漏极连接。
5.根据权利要求4所述的输入供电型振动能量获取接口电路,其特征在于,所述比较器包括:PMOS晶体管P5、P6、P7、P8,NMOS晶体管N5、N6、N7;其中,
P5的衬底与分别与P1的源极和P2的源极连接,用于接入所述第二输入信号;
P6的栅极与P5的栅极连接,其源极与P5的源极连接,其衬底与所述NOMS开关管的源极连接;
P7的漏极分别与P5的源极和P6的源极连接,其源极和衬底均分别与P1的源极和P2的源极连接;
N6的漏极与P6的漏极连接,其衬底和源极均接地,其栅极与N5的栅极连接;
P8的源极作为输出与所述POMS开关管的源极连接,其栅极与衬底接地;
N7的漏极与P8的漏极连接,其源极与衬底接地,其栅极分别与P6的漏极和N6的漏极连接,构成反向器电路结构,其漏极作为输出与所述POMS开关管的栅极连接。
6.一种接口,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的输入供电型振动能量获取接口电路。
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