[发明专利]共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用有效
申请号: | 201310307033.6 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN103388179A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 吴云涛;任国浩;陈晓峰;李焕英;潘尚可 | 申请(专利权)人: | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;G01T1/202;A61B6/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 碘化 闪烁 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体,其特征在于,所述闪烁晶体的化学组成为 (Cs1-x-yTlxREy)(I1-yM3y),其中共掺杂元素RE选自三价La、Lu和Yb中的至少一种,M选自F、Cl、Br和I中的至少一种,0<x≤0.05,0<y≤0.05。
2.一种共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体,其特征在于,所述闪烁晶体的化学组成为 (Cs1-x-yTlxYby)(I1-yM2y),其中共掺杂元素Yb为二价Yb,M选自F、Cl、Br和I中的至少一种,0<x≤0.05,0<y≤0.05。
3.根据权利要求1或2所述的共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体,其特征在于,0<x≤0.001,0<y≤0.001。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体,其特征在于,所述共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体在X射线激发下的余辉强度比未共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体CsI:Tl在大于50毫秒后降低90%以上。
5.一种制备权利要求1所述的共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体的方法,其特征在于,所述方法包括:
将CsI、TlI以及共掺杂剂REM3按摩尔比(1-x-y):x:y进行配料,充分混合后作为原料粉体;以及
利用所述原料粉体通过下降法、提拉法或泡生法生长所述共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体。
6.一种制备权利要求2所述的共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体的方法,其特征在于,所述方法包括:
将CsI、TlI以及共掺杂剂YbM2按摩尔比(1-x-y):x:y进行配料,充分混合后作为原料粉体;以及
利用所述原料粉体通过下降法、提拉法或泡生法生长所述共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体。
7.一种权利要求1~4中任一项所述的共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体的应用,其特征在于,所述共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体用于核医学、安全检测和X射线成像。
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