[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）设置刻蚀产额模型参数的取值范围，设计不同时间不同参数的刻蚀加工工艺，利用扫描电镜分析剖面图片，或者针对给定的加工剖面，利用刻蚀剖面演化算法对中间过程仿真，获得宽度不同的p组不同刻蚀时间不同剖面位置点的实际刻蚀速率V_r；

2）选择刻蚀产额模型参数的优化算法及设置该优化算法的初始参数，设置优化算法的最大执行次数N_max及优化算法的精度eps，以及沟槽表面预先选定的位置入射离子的初始参数；

3）根据优化算法的要求和刻蚀产额模型参数的取值范围，生成由N_pop组模型参数组成的初始模型参数集，以及优化算法的精英种群及初始向量：

4）利用刻蚀产额与刻蚀速率的关系计算刻蚀产额模型参数集中每组模型参数的适应值；

5）根据每组模型参数的适应值，利用优化算法搜索形成下一步模型参数集；

6）重复执行步骤4)-5),直到达到最大执行次数N_max或满足指定的精度eps后的模型参数集作为优化模型参数集；

7）从优化模型参数集选出最优的模型参数并输出，代入刻蚀产额模型参数化表示公式中，即得到刻蚀产额的模型。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤4）具体包括：

4.1）把模型参数集中每组参数和刻蚀沟槽表面特定位置入射离子的初始参数作为输入，利用刻蚀产额与刻蚀速率的关系，计算得到这些特定位置入射离子的刻蚀速率V_s；

4.2）对于宽度不同的p组沟槽，第k组沟槽按照公式（1）计算模拟刻蚀速率V_s相对于实际刻蚀速率V_r的误差，如下：

Ek=Σi=1nΣj=1mw(i,j)(Vrij-Vsij)2---(1)]]>

式中：n表示第k组沟槽演化过程中不同的剖面数量，m表示第k组沟槽演化过程中每个剖面预先选定位置的数量，V_rij指的是第k组沟槽第i个剖面第j个位置点实际刻蚀速率，V_sij指的是第k组沟槽第i个剖面第j个位置点模拟刻蚀速率，w(i,j)表示第k组沟槽第i个剖面第j个位置点模拟刻蚀速率与实际刻蚀速率的均方差对整体误差的影响程度；

4.3）利用4.2），得到该组模型参数的适应值F＝(1/E₁,1/E₂,...,1/E_p)；

4.4）重复执行4.1）-4.3），计算模型参数集中每组参数的适应值。