[发明专利]一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310306116.3 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299924A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 马晶晶;周耀辉;王智勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 终点 检测 soi 衬底 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法，其包括：
采用刻蚀气体对SOI衬底的顶层硅进行刻蚀；
在刻蚀过程中，通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度；
当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，反应产物的浓度会迅速降低，当所判断的反应产物的浓度降低到设定值时自动停止刻蚀过程；
选用混合气体对SOI衬底进行过刻蚀，保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：对顶层硅进行刻蚀采用的气体为氯气，所述反应产物为四氯化硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：对顶层硅进行刻蚀采用的气体为氟基、溴基及其混合气体。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在对顶层硅进行刻蚀时刻蚀气体中包含氧气。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述过刻蚀采用的混合气体为碳氟化合物的混合气体。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述过刻蚀采用的混合气体的混合比例为体积比CF4：CHF3=3：1。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述采用混合气体进行过刻蚀的时间为15秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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