[发明专利]一种二阶补偿基准电压产生电路

权利要求书

1.一种二阶补偿基准电压产生电路，其特征在于，所述二阶补偿基准电压产生电路包括：PTAT电流生成电路、PTAT电流平方生成电路、第四PMOS管和第五电阻，其中，

所述PTAT电流生成电路包括：第一PMOS管的源级接电源，第一PMOS管漏极接第三电阻，所述第三电阻的另一端接第六NPN晶体管的基极和集电极，所述第六NPN晶体管的发射极接第五电阻，所述第五电阻另一个端口接地；第二PMOS管源级接所述电源，第二PMOS管漏级接第二电阻，所述第二电阻另一端接第一电阻，第一电阻的另一端接第七NPN晶体管基极和集电极，所述第七NPN晶体管发射极接第五电阻，第五电阻另一个端口接所述地；运算放大器的反向输入端接所述第六NPN晶体管基极和集电极，所述运算放大器的同向输入端接所述第二电阻和所述第一电阻之间，所述运算放大器输出端接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管的栅级；

所述PTAT电流平方生成电路包括：第五PMOS管的源级接所述电源，所述第五PMOS管栅级接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管栅级，所述第五PMOS管漏级接第一NPN晶体管集电极和基极，所述第一NPN晶体管发射级接第三NPN晶体管集电极和基极，所述第三NPN晶体管发射级接地；第二NPN晶体管集电极接所述电源，所述第二NPN晶体管基极接第一NPN晶体管基极，所述第二NPN晶体管发射级接第四NPN晶体管集电极，所述第四NPN晶体管基级接第三NPN晶体管基极，所述第四NPN晶体管发射级接地；第四电阻一端接所述第四NPN晶体管集电极，另一端接所述地；第三PMOS管源级接所述电源，所述第三PMOS管栅级和漏极短接，所述第三PMOS管漏极接第五NPN晶体管集电极，所述第五NPN晶体管基极接所述第四NPN晶体管集电极，所述第五NPN晶体管发射级接所述地；

所述第四PMOS管源级接所述电源，所述第四PMOS管栅级接所述第三PMOS管栅级，第四PMOS管漏级接所述第五电阻。