[发明专利]一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法

权利要求书

1.一种掩埋式势垒分压场效应管的生产方法，其特征是包括如下步骤：

（1）在N+衬底（2）上生长N型外延层；

（2）在生长的N型外延层内蚀刻网格状的掩埋沟槽，并在生长的N型外延层的上表面和掩埋沟槽内生长二氧化硅氧化层（3-3）；

（3）在生长有二氧化硅氧化层（3-3）的掩埋沟槽中沉积金属或多晶硅作为良导体（3-2），并从本功率场效应管的边缘将该良导体（3-2）连接到源极；

（4）用硼磷硅玻璃填平沉积有良导体（3-2）的掩埋沟槽，腐蚀二氧化硅氧化层（3-3），由此在N+衬底（2）上方第一N型外延层内形成了掩埋层（3）；

（5）在掩埋层（3）上再次生长N型外延层；

（6）在再次生长的N型外延层内蚀刻网格状的栅极沟槽，并在再次生长的N型外延层的上表面和栅极沟槽内生长栅氧化层（4-2）；

（7）在生长有栅氧化层（4-2）的栅极沟槽中沉积多晶硅栅极（4-3）；

（8）将硼离子注入到栅极四周再次生长的N型外延层上表面，并将硼离子扩散推结形成体区（4-4）；

（9）在体区（4-4）的表面光刻源区（4-5）图形，并将硼离子注入到栅极四周的体区（4-4）上表面，并扩散推结形成源区（4-5）；

（10）在全部上表面即栅极、源区（4-5）和体区（4-4）的上表面沉积硼磷硅玻璃，由此在掩埋层（3）上形成工作层（4）；

（11）在工作层（4）的硼磷硅玻璃上光刻并腐蚀出接触孔（5-1），并通过蒸发或溅射金属铝的方法反刻出本功率场效应管的栅极和源极的焊区（5）；

（12）减薄N+衬底（2），并在减薄的N+衬底（2）下表面背金形成功率场效应管的漏极。

2.根据权利要求1所述一种掩埋式势垒分压场效应管的生产方法，其特征是，所述步骤（9）的源区（4-5）图形为回字形。

3.根据权利要求1所述一种掩埋式势垒分压场效应管的生产方法，其特征是，所述步骤（11）的接触孔呈矩阵式分布。

4.根据权利要求1所述掩埋式势垒分压场效应管的生产方法所制作的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：主要由背金层（1）、N+衬底（2）、掩埋层（3）、工作层（4）和焊区（5）组成；掩埋层（3）设置在N+衬底（2）的上方；第二N型外延层（4-1）位于掩埋层（3）的上方，焊区（5）设置在第二N型外延层（4-1）的上方；背金层（1）涂覆在N+衬底（2）的下表面；

掩埋层（3）由第一N型外延层（3-1）、良导体（3-2）、二氧化硅氧化层（3-3）和掩埋层保护玻璃（3-4）构成；网格状的良导体（3-2）全部内嵌在第一N型外延层（3-1）中，且网格状的良导体（3-2）在第一N型外延层（3-1）中呈战壕状矩阵式分布；每个良导体（3-2）的侧面和底面覆有二氧化硅氧化层（3-3）、顶面覆有掩埋层保护玻璃（3-4）；

工作层（4）由第二N型外延层（4-1）、多晶硅栅极（4-3）、栅氧化层（4-2）、体区（4-4）、源区（4-5）和栅极保护玻璃（4-6）构成；网格状的多晶硅栅极（4-3）的底部嵌入第二N型外延层（4-1）中，多晶硅栅极（4-3）的侧面和底面覆有栅氧化层（4-2），多晶硅栅极（4-3）的顶部覆有栅极保护玻璃（4-6）；体区（4-4）设置在第二N型外延层（4-1）的上、多晶硅栅极（4-3）的四周；每个体区（4-4）的上部设有源区（4-5）；

焊区（5）包括栅极和源极的焊区；栅极焊区和源极焊区设在栅极保护玻璃（4-6）上部，并通过开设在焊区下部的栅极和源极的接触孔（5-1）连接到多晶硅栅极（4-3）和源区（4-5）。

5.根据权利要求要求4所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述多晶硅栅极（4-3）的底部嵌入第二N型外延层（4-1）的上部。

6.根据权利要求要求4所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：每个多晶硅栅极（4-3）的正下方对应一个良导体（3-2）。

7.根据权利要求要求4所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述源区（4-5）呈回字形。

8.根据权利要求要求4所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述源极接触孔（5-1）在栅极保护玻璃（4-6）上呈矩阵式分布，并通过源极焊区（5）引出。

9.根据权利要求要求4所述的一种掩埋式势垒分压场效应管，其特征在于：所述多晶硅栅极（4-3）以网格的形式连在一起，并通过栅极接触孔（5-1）从栅极焊区（5）引出。