[发明专利]一种背抛光太阳能电池工艺

权利要求书

1.一种背抛光太阳能电池工艺制备：包括：

(1)选取P型多晶硅片，进行背表面抛光制备；

对于P型多晶硅片，采用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液对硅片进行抛光，浓度为70％的HNO₃和浓度为50％的HF以体积比10～12∶1的混合液。

(2)进行表面绒面制备；

P型硅片，采用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液对硅片进行制绒，浓度为70％的HNO₃和浓度为50％的HF以体积比4～3∶1的混合液。

(3)磷扩散形成前表面场；

将制绒后硅片采用三氯氧磷液态磷源进行管式扩散形成前表面场。

(4)去除磷硅玻璃；

将磷扩散后的硅片浸入体积百分含量为5％的氢氟酸(浓度为50％)溶液中清洗去除磷扩散后的磷硅玻璃层。

(5)前表面沉积氮化硅膜

采用PECVD方法对前表面沉积双层氮化硅。

(6)丝网印刷背电极、铝背场及正电极

背电极、铝背场及正电极进行印刷及烘干，印刷增重要严格控制。

(7)烧结

前后表面金属进行一次烧结，形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。

2.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述的(1)中混合液为70％的HNO₃和浓度为50％的HF，其体积比为10～12∶1，反应温度：10-20℃。

3.如权利要求1所述的一种背抛光电池工艺，其特征在于，其中所述(2)中制绒采用浓度为70％的HNO₃和浓度为50％的HF以体积比4～3∶1的混合液，反应温度：0-1℃。

4.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述(3)中扩散后方块电阻为78～85Ω/□，结深0.3～0.5um。

5.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述(4)中磷硅玻璃层清洗时采用体积百分含量为5％的氢氟酸(浓度为50％)溶液。

6.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述(5)氮化硅膜为双层氮化硅或二氧化硅和氮化硅的叠层膜。

7.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述(6)背场的印刷增重1.4～1.5g。

8.如权利要求1所述的一种背抛光太阳能电池工艺，其特征在于，其中所述(7)最高烧结温度为750～900℃。