[发明专利]一种控制高压能量切换的方法

说明书

技术领域

本发明是一种控制高压能量切换的方法，安全可控地提供给负载所需求的高压能量。

背景技术

集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程，对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义，是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下，要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺，这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此离子注入机广泛用于掺杂工艺，当代VLSI、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面，结深，保证器件各项电参数非常重要。

经过对低能大束流项目的指标参数和工艺要求分析，但由于工艺技术代和工艺特点不同，从注入安全性方面和工艺调试方面提出了更高的要求，因此高压能量的提供可控性起到了关键性的作用，于是通过负载能量需求控制高压能量安全切换，才能确保注入工艺的安全性和可靠性。

发明内容

本发明针对控制高压能量切换的一种方法，采用气动隔离和控制电路。

本发明通过以下技术方案实现：

1.一种控制高压能量切换的方法，其框图图1包括：需求命令按钮(1)、上位机(2)、D/A转换(3)、气动模块(4)、气动开关(5)、电阻(6)、高压二极管(7)、负载(8)、负高压(9)。此方法控制高压能量安全切换情况。

2.如权利要求1所述的一种控制高压能量切换的方法，其特征在于，其中所述的高压二极管(7)单向导通性质，使二极管两端保持高压状态，整个电路中串联一个15kΩ电阻(6)，从而达到限制电路电流，使电路满足电气需要，通过气动模块(4)控制气动开关(5)，从而达到高压能量安全切换的目的。

3.如权利要求1所述的一种控制高压能量切换的方法，其特征在于，其中所述的命令按钮(1)输出的数字量输入给上位机(2)，上位机(2)通过设定的算法计算出控制值，控制值输入给D/A转换(3)变换成模拟量。

4.如权利要求1所述的一种控制高压能量切换的方法，其特征在于，其中所述的D/A转换(3)输出的模拟量输入到气动模块(4)，通过气动模块(4)控制高压能量切换装置(12)的气动开关(5)，由此控制高压能量切换装置(12)向负载提供能量的情况。

本发明具有如下优点：

1.稳定可靠高压能量需求控制，满足更高的工艺要求。

2.通过负载能量需求控制高压能量安全切换，才能确保注入工艺的安全性。

附图说明

图1是高压能量切换控制的框图

图2是高压能量切换控制的流程图

具体实施方式

下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍，这些描述都是说明性的，本发明不限于此。本发明的范围仅由所附权利要求的范围所限定。

一种控制高压能量切换的方法，其框图图1包括：需求命令按钮(1)、上位机(2)、D/A转换(3)、气动模块(4)、气动开关(5)、电阻(6)、高压二极管(7)、负载(8)、负高压(9)。此方法控制高压能量安全切换情况。

需求按钮(1)发送能量需求信号，当上位机(2)收到信号并且通过设定的算法计算出控制值，控制值输入给D/A转换(3)变换成模拟量。D/A转换(3)输出的模拟量输入到启动模块控制器(4)，通过气动模块控制器(4)控制气动开关(5)打开或者闭合，由此高压能量向负载提供能量或者断开能量，从而达到安全可控的为负载提供高压能量。

流程图图2说明了控制过程，开始初始化负载高压需求情况(10)，能量切换装置(12)控制高压向负载提供情况，通过上位机(2)获得高压能量需求命令(1)，采集的数据与高压能量需求的情况比较，判断是否需求高压能量(11)，若需要高压能量则通过能量切换装置(12)控制气动模块(13)影响气动开关(5)打开，从而达到向负载提供高能电压的目的，若不需要高压能量则通过能量切换装置(12)控制气动模块(13)影响气动开关(5)关闭，从而达到向负载安全断开高能电压的目的。如果继续控制则持续等待需求命令(16)，不继续控制则结束(17)。

以上所述已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。