[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基底；

第一电极层，位于基底上；

光吸收层，位于第一电极层上；

合金层，位于第一电极层与光吸收层之间；

缓冲层，位于光吸收层上；

第一通孔，形成为穿过缓冲层、光吸收层、合金层和第一电极层直至基底；以及

绝缘阻挡件，位于第一通孔的至少一部分中。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，绝缘阻挡件包括SiO₂、SiO_y、SiN_z和SiON中的至少一种，其中，y和z是自然数。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，绝缘阻挡件的界面与缓冲层的同绝缘阻挡件的所述界面相邻的界面并行地形成。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括从基底扩散到光吸收层中的碱金属元素，光吸收层包括铜-铟-镓-(二)硒化物化合物。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，绝缘阻挡件填充第一通孔。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括位于缓冲层上的第二电极层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括第二通孔，

其中，第二通孔形成为穿过缓冲层和光吸收层直至合金层，第二通孔沿第一方向与第一通孔分隔开，以及

其中，第二电极层通过第二通孔接触合金层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括第三通孔，其中，第三通孔形成为穿过第二电极层、缓冲层、光吸收层和合金层直至第一电极层，第三通孔沿第一方向与第二通孔分隔开。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括第二通孔，其中，第二通孔形成为穿过第二电极层、缓冲层、光吸收层和合金层直至第一电极层，第二通孔沿第一方向与第一通孔分隔开。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，绝缘阻挡件部分地填充第一通孔，并且第二电极层填充第一通孔的剩余部分。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，绝缘阻挡件位于第一通孔的第一侧，填充第一通孔的剩余部分的第二电极层位于第一通孔的第二侧，第二侧沿第一方向与第一侧分隔开。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，限定第一通孔的内表面的至少一部分相对于基底的表面倾斜。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，限定第一通孔的内表面的所述至少一部分相对于基底的表面以30度至60度的角度倾斜。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，第一通孔的与基底相邻的部分的宽度是第一通孔的与缓冲层形成界面的另一部分的宽度的大约一半。

15.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基底上设置第一电极层；

在第一电极层上设置光吸收层；

在第一电极层与光吸收层之间形成合金层；

在光吸收层上设置缓冲层；以及

形成穿过缓冲层、光吸收层、合金层和第一电极层直至基底的第一通孔。

16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在第一通孔的至少一部分中设置绝缘阻挡件。

17.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括将基底的碱金属元素扩散到光吸收层中，其中，在形成第一通孔之前执行将碱金属元素扩散到光吸收层中的步骤。

18.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在缓冲层上设置第二电极层。

19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括：

形成穿过第二电极层、缓冲层、光吸收层和合金层直至第一电极层的第二通孔，第二通孔沿第一方向与第一通孔分隔开；以及

在第一通孔的第一侧中填充绝缘阻挡件并在第一通孔的第二侧中填充第二电极层，第二侧沿第一方向与第一侧分隔开。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，限定第一通孔的内表面的至少一部分相对于基底的表面倾斜。