[发明专利]改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆

权利要求书

1.一种改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：按下述步骤进行：

一、提供一太阳能硅晶棒；

二、移除该太阳能硅晶棒的两重工区域以保留一常态区域；

三、对该太阳能硅晶棒的该常态区域进行切片处理，以形成至少一个太阳能硅晶圆；

四、将该些太阳能硅晶圆放置于一高温设备中，并将该些太阳能硅晶圆进行退火处理：加热升温至一反应温度之后持温一反应时间，之后进行降温。

2.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该太阳能硅晶棒为多晶硅晶棒，该太阳能硅晶圆为多晶硅晶圆。

3.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该常态区域的定义为载子寿命高于一预定数值，该预定数值的范围介于2至5微秒之间。

4.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该两重工区域分别位于该太阳能硅晶棒的两端。

5.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该反应温度为大于330℃。

6.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该反应时间为大于30分钟。

7.如权利要求1所述的改良的太阳能硅晶圆的制造方法，其特征在于：该加热升温过程中更包括通入纯的惰性气体于该高温设备内，该惰性气体的气体流量范围介于每分钟3至7升之间。

8.一种太阳能硅晶圆，其特征在于：其是由一太阳能硅晶棒的一常态区域分割出来，并经由加热至一反应温度之后持温一反应时间的退火处理所形成的该太阳能硅晶圆。

9.如权利要求8所述的太阳能硅晶圆，其特征在于：该反应温度为大于330℃。

10.如权利要求8所述的太阳能硅晶圆，其特征在于：该反应时间为大于30分钟。