[发明专利]一种制备铜铟碲薄膜的方法

说明书

技术领域

本发明属于光电薄膜制备技术领域，尤其涉及一种制备铜铟碲薄膜的制备方法。 

背景技术

众所周知，经济的高速发展必然带来能源消耗量的激增。随着近年来我国社会和经济高速发展，能源紧缺及消费能源带来的污染已成为国内社会发展中的突出问题，因此开发利用清洁能源对保护环境、经济可持续发展和构筑和谐社会都有重要的意义。为了更充分的利用太阳能这种清洁、安全和环保的可再生资源，近年来光电材料的研究和应用日益受到重视。 

铜铟碲基薄膜太阳电池目前可以认为是最有发展前景的薄膜电池，这是因为其吸收层材料CuInTe₂具有较高的光电转化率等一系列优点。特别是以铜铟碲光电薄膜的制备研究已经取得了较大的进展。 

目前铜铟碲薄膜的制备方法主要有溶剂热法、喷射热解法、化学沉积法、反应溅射法、真空蒸发法等。由于原料成本低，因此是一种非常有发展前途的光电薄膜材料，但现有工艺路线复杂、制备成本高，因而需要探索低成本的制备工艺。 

象前面所述方法一样，其它方法也有不同的缺陷。与本发明相关的还有如下文献： 

[1]Leccabue F，Pelosi C.Growth conditions of CuBTe₂(B＝Ga，In)single crystals by the closed tube chemical vapor transport technique.Materials Letters，1983，2(1)：42-44. 

主要描述了首次通过连通管化学气象传输技术制备CuGaTe₂和CuInTe₂单晶。并且所有样品经测试都具有P型导电型。 

[2]Xian-Zhou Z，Ke-Sheng S，Zhao-Yong J，et al.A study of the electronic structures and optical properties of CuXTe₂(X＝Al，Ga，In)ternary semiconductors.Computational and Theoretical Chemistry，2013. 

主要研究了三元半导体Cu_XTe₂(X＝Al，Ga，In)的电子结构和光学性能，并且这些化合物有相似的光学光谱和各向异性。这些发现预言CuGaTe₂和CuInTe₂因为其在可见光范围内优秀的光吸收率和光导电性，而在光伏领域具有广阔的前景。 

[3]Bhattacharya R N，Rajeshwar K.Electrodeposition of CuInX(X＝Se，Te)thin films.Solar Cells，1986，16：237-243. 

主要描述了用电沉积法制备CuInX(X＝Se，Te)薄膜的过程。并研究了不同电解质对薄膜制备的影响。 

[4]Orts J L，Diaz R，Herrasti P，et al.CuInTe₂and In-rich telluride chalcopyrites thin films obtained by electrodeposition techniques.Solar energy materials and solar cells，2007，91(7)：621-628. 

主要描述了使用电沉积方法在钼玻璃基片上制备单相的CuInTe₂薄膜。并研究了不同Te气氛与In/Cu比例对CuInTe₂合成和形态的影响。 

[5]Ishizaki T， Saito N，Fuwa A.Electrodeposition of CuInTe₂film from an acidic solution.Surface and Coatings Technology，2004，182(2)：156-160. 

主要描述了使用电化学沉积方法制备多晶的CuInTe₂薄膜。并研究了不同沉积温度和过电位对CuInTe₂合成的影响，以及研究了多晶CuInTe₂薄膜的禁带宽度。