[发明专利]一种带宽可调的无源多相滤波器电路

说明书

技术领域

本发明涉及射频集成电路技术领域，涉及一种带宽可调的无源多相滤波器电路。

背景技术

随着集成电路技术的发展，对射频接收机提出了越来越高的要求，需要射频前端芯片能够接收多个频点的射频信号，不同频点的射频信号往往信号带宽也不相同，所以需要使用带宽不同的镜频抑制滤波器。镜频抑制滤波器的核心部分是无源多相滤波器，针对不同带宽的信号需要设计不同带宽的无源多相滤波器。

传统的射频前端芯片，往往集成多个无源多相滤波器，针对不同的应用环境根据信号带宽不同，选择切换其中的某个无源多相滤波器使用。因为芯片内部集成了多个无源多相滤波器，所以电路结构复杂、芯片面积大。

发明内容

本发明为了解决现有技术的不足，提出了一种带宽可调的无源多相滤波器电路，可实现无源多相滤波器带宽的调节，电路结构简单、芯片面积小。

本发明的技术方案是：一种带宽可调的无源多相滤波器电路，包括一次连接的第一阶滤波器、第二阶滤波器和第三阶滤波器，三个滤波器组合起来构成一个三阶的无源多相滤波器。

本发明的进一步改进是：所述第一阶滤波器包括：第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容；所述第一MOS晶体管的漏极连接至第一阶滤波器的同相正向输出端，所述第一MOS晶体管的栅极连接至第一偏置电压，第一MOS晶体管的源级连接至第一阶滤波器的同相正向输入端；所述第二MOS晶体管的漏极连接至第一阶滤波器的正交正向输出端，第二MOS晶体管的栅极连接至第一偏置电压，第二MOS晶体管的源级连接至第一阶滤波器的正交正向输入端；所述第三MOS晶体管的漏极连接至第一阶滤波器的同相反向输出端，第三MOS晶体管的栅极连接至第一偏置电压，第三MOS晶体管的源级连接至第一阶滤波器的同相反向输入端；所述第四MOS晶体管的漏极连接至第一阶滤波器的正交反向输出端，第四MOS晶体管的栅极连接至第一偏置电压，第四MOS晶体管的源级连接至第一阶滤波器的正交反向输入端；所述第一电容的一端连接至第一阶滤波器的同相正向输入端，第一电容的另一端连接至第一阶滤波器的正交正向输出端；所述第二电容的一端连接至第一阶滤波器的正交正向输入端，第二电容的另一端连接至第一阶滤波器的同相反向输出端；所述第三电容的一端连接至第一阶滤波器的同相反向输入端，第三电容的另一端连接至第一阶滤波器的正交反向输出端；所述第四电容的一端连接至第一阶滤波器的正交反向输入端，第四电容的另一端连接至第一阶滤波器的同相正向输出端。

所述第二阶滤波器包括：第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第五电容、第六电容、第七电容和第八电容；所述第五MOS晶体管的漏极连接至第二阶滤波器的同相正向输出端，第五MOS晶体管的栅极连接至第二偏置电压，第五MOS晶体管的源级连接至第二阶滤波器的同相正向输入端；所述第六MOS晶体管的漏极连接至第二阶滤波器的正交正向输出端，第六MOS晶体管的栅极连接至第二偏置电压，第六MOS晶体管的源级连接至第二阶滤波器的正交正向输入端；所述第七MOS晶体管的漏极连接至第二阶滤波器的同相反向输出端，第七MOS晶体管的栅极连接至第二偏置电压，第七MOS晶体管的源级连接至第二阶滤波器的同相反向输入端；所述第八MOS晶体管的漏极连接至第二阶滤波器的正交反向输出端，第八MOS晶体管的栅极连接至第二偏置电压，第八MOS晶体管的源级连接至第二阶滤波器的正交反向输入端；所述第五电容的一端连接至第二阶滤波器的同相正向输入端，第五电容的另一端连接至第二阶滤波器的正交正向输出端；所述第六电容的一端连接至第二阶滤波器的正交正向输入端，第六电容的另一端连接至第二阶滤波器的同相反向输出端；所述第七电容的一端连接至第二阶滤波器的同相反向输入端，第七电容的另一端连接至第二阶滤波器的正交反向输出端；所述第八电容的一端连接至第二阶滤波器的正交反向输入端，第八电容的另一端连接至第二阶滤波器的同相正向输出端。