[发明专利]一种湿法刻蚀设备及工艺有效
| 申请号： | 201310298407.2 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103346109A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈玮光 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 工艺 | ||
1.一种湿法刻蚀设备，包括刻蚀槽和多个用于支撑待刻蚀硅片的滚轴，多个所述滚轴平行设置于所述刻蚀槽内，且通过若干支架支撑，所述支架与所述滚轴垂直设置；其特征在于，所述滚轴至少分为两段，在其接合处中的一处设置有支架，且该支架高于其余支架。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述滚轴的最高处设于其中部位置。
3.如权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述支架具有支撑所述滚轴的凹槽，所述滚轴的外周面与所述凹槽的内壁贴合。
4.如权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括排风表，用于监控湿法刻蚀设备外围的排风量。
5.一种湿法刻蚀工艺，待刻蚀硅片在滚轴的带动下在刻蚀液液面上移动，刻蚀液腐蚀待刻蚀硅片的背面和侧面；其特征在于，所述待刻蚀硅片与刻蚀液液面呈预定夹角，以便刻蚀液粘附至待刻蚀硅片的背面和侧面。
6.如权利要求5所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述待刻蚀硅片的背面与刻蚀液液面的最大距离为0.3cm～0.4cm，最小距离为0。
7.如权利要求5所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，对湿法刻蚀设备的抽风量进行调整，先粗调使待刻蚀硅片的正面出现黑色阴影，再微调将黑色阴影调整为一条黑线。
8.如权利要求5所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，对湿法刻蚀设备的进风量进行调整，调节进风滤棉的厚度，以免所述待刻蚀硅片在刻蚀槽内抖动。
9.如权利要求5所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，在湿法刻蚀之前对所述待刻蚀硅片进行氧化处理。
10.如权利要求9所述的湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述氧化处理的时间为10分钟～15分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源（中国）有限公司，未经英利能源（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310298407.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种海藻酸钠-溶菌酶复合微胶囊的制备方法
- 下一篇：一种双定向电桥
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
