[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：

a.在基片制程之后，在腔室表面沉积不含氟的聚合物层；

b.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。

2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括O₂，O₂与N₂或Ar的混合气体。

3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤a还包括如下步骤：在基片制程之后，往腔室中通入第一气体，并连接射频能量产生等离子体，以在所述腔室表面沉积不含氟的聚合物层。

4.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，在静电夹盘表面沉积的不含氟的聚合物层厚度大于腔体侧壁和上电极的不含氟的聚合物层厚度。

5.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤b还包括如下步骤：往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，首先清除腔体侧壁和上电极的不含氟的聚合物层，再清除静电夹盘上表面的不含氟的聚合物层。

6.根据权利要求3所述的清洁方法，其特征在于，所述第一气体为COS/N₂，CO/H₂，CO/NH₃，CH₄，C₂H₂，C₂H₄，C₂H₆，C₃H₆，C₃H₈,C₄H₁₀。

7.根据权利要求6所述的清洁方法，其特征在于，所述第一气体与N₂和/或NH₃混合调节不含氟的聚合物层的浓度。

8.根据权利要求7所述的清洁方法，其特征在于，当所述第一气体为C₂H₄时，腔室内压力值为500mt，C₂H₄的流量为250sccm，射频功率为750W和60Mhz，执行时间的取值范围为8到15秒。

9.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤b的执行时间为20～25秒。

10.根据权利要求9所述的清洁方法，其特征在于，所述不含氟的聚合物层的厚度由终点检测的方法来控制。

11.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，所述步骤b之后还包括如下步骤c：将清洁冗余用真空泵抽出腔室。

12.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，在所述步骤c之后还包括如下步骤d:将基片传输入所述腔室，并对基片进行制程。

13.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，在所述步骤a之前还包括：对基片执行制程的步骤。