[发明专利]选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物的制备与应用有效
申请号: | 201310294563.1 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103374100A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 吕满庚;杨朝龙;许静 | 申请(专利权)人: | 中科院广州化学有限公司 |
主分类号: | C08F226/12 | 分类号: | C08F226/12;C08F230/04;C09K11/06;G01N21/64 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 裘晖;张燕玲 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择性 识别 阴离子 荧光 寿命 聚合物 制备 应用 | ||
1.一种选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物,其特征在于化学结构如式Ⅰ所示:
式Ⅰ;
其中,x,y分别为可聚合铕单体和N-乙烯基咔唑单体的重复单元数目;R1为含有烷基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃中的一种基团;R2为含有氢、烷基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃中的一种基团;R3为含有烷基、噻吩基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃中的一种基团;咪唑环上的-NH基团为阴离子的作用位点;
所述的可聚合铕单体的结构式如式II所示:
式II;
其中,R1为含有烷基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃的基团;R2为含有氢、烷基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃的基团;R3为含有烷基、噻吩基、卤代烷基、芳基、卤代芳基、卤代烷烃或者烷基芳烃的基团。
2.根据权利要求1所述的选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物,其特征在于:所述的长荧光寿命铕基聚合物的荧光寿命可达0.62~1.53ms。
3.权利要求1或2所述的选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:将可聚合铕单体和N-乙烯基咔唑单体按摩尔比为1:10~100的比例加入聚合物管中,加入有机溶剂完全溶解,然后再加入自由基引发剂,在惰性气体气氛、60~80℃下反应10~72h,再经重沉淀、过滤、提取、干燥、脱溶剂后即得长荧光寿命铕基聚合物;
所述的有机溶剂为四氢呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷或N,N’-二甲基甲酰胺中的一种;所述有机溶剂的加入量为有机溶剂体积与NVK摩尔量的比例为0.5~10mL:1mmol;
所述的自由基引发剂为偶氮类或者过氧化物类引发剂,自由基引发剂的质量为两种单体总质量的0.5~5%。
4.根据权利要求3所述的选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物的制备方法,其特征在于:
所述的自由基引发剂为偶氮二异丁腈或过氧化苯甲酰。
5.根据权利要求3所述的选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物的制备方法,其特征在于:
所述的可聚合铕单体是由可聚合的中性配体vinyl-phen、β-二酮阴离子配体和稀土铕离子配合反应获得;
所述的可聚合的中性配体vinyl-phen的化学结构式如式III所示:
式III。
6.根据权利要求5所述的选择性识别阴离子的长荧光寿命铕基聚合物的制备方法,其特征在于:
所述的可聚合铕单体的制备方法如下:
在一带回流装置和搅拌装置的圆底烧瓶中,将2份摩尔量的β-二酮溶于有机溶剂中,再加入含有2份摩尔量的氢氧化钠,然后在50~80℃下反应15~40min后,再加入1份摩尔量的溶解于乙醇中的铕可溶性盐溶液,50~80℃下反应30~80min,然后再将含有少量阻聚剂的一当量的可聚合的中性配体vinyl-phen加入前述反应体系中,然后在50~80℃下反应1~10h,反应结束后冷却至室温,然后经真空脱溶剂、适量的蒸馏水和乙醇洗涤、真空干燥后得可聚合铕单体;其中,β-二酮的摩尔量与有机溶剂体积的比例为1mmol:5mL;
所述的有机溶剂为醇类、四氢呋喃、二氯甲烷或三氯甲烷中的一种;
所述的阻聚剂为苯醌类、吩噻嗪类或苯二酚类中的一种;
所述的铕可溶性盐为氯化铕或硝酸铕。
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